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RSS订阅原创 关于从屏幕的显示内容上观察开发板是否成功挂载TFTP,NFS
只需要setenv bootargs 'console=tty0 console=ttymxc0,115200 root=/dev/mmcblk1p2 rootwait rw'saveenvTFTP单独时候，节点是实时更新吗？TFTP由挂载到卸载使用boot命令时候最好，重新上电给板子，而且重新打开MXba软件的串口，TFTP由挂载到卸载状态时，进入boot的时间非常端，2情况我就成功一次，3与一次没成功，当然了3也是这样重新上电。。。。。。
2024-06-04 15:17:49
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原创 这几天学习以及遇到的问题
关于阿尔法开发板我检测输入设备，比如按键还有键盘，执行程序和输入设备链接之后的那条代码之后，会遇到打开错误，没有这样的文件或者目录。猜想这是个板子通病，不仅仅是输入设备，一旦遇到这个问题，应该都有效。把板子关闭再打开，得以解决。
2024-05-21 09:36:33
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原创 这几天学习以及遇到的问题
2.主机，虚拟机，开发板，网络通信互ping,开始学这块时候，我跟的是是CSDN的一个博主，但是ping的时候不成功，就是三者之间有不成功的，后来才看到正点原子那里有文档，按照文档一步一步，跟着操作了三遍，三者才互相ping成功，后来又跟着操作tftp,nfs，也没有问题。1我用secureCRT连接阿尔法开发板的时候，一直卡在start kernel那里。并且上面还会显示不能发现uboot str文件，在网上查了差，最后重新烧录的正点原子的系统的得以解决。
2024-05-20 08:55:47
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原创 5-10 学习以及遇到的问题
若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降约在2V左右（部分发光二极管压降在3V左右，如白色发光二极管等），而万用表R×1k档内电池的电压值为1.5V，故不能使发光二极管正向导通。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。
2024-05-10 20:52:42
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原创 mos管工作的三个区域
当 Vgs < Vth 时，截止区。当 Vgs > Vth 且 Vds < Vgs - Vth 时，变阻区。当 Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth 时，饱和区(恒流区)。当MOS管 工作在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds Vds < Vgs - Vth时近似满足V-I的线性关系，即有一个近似固定的阻值。MOS管 工作在饱和区（恒流区）与 BJT 的饱和区不同，称 MOS管此区为饱和区，主要表示 Vds 增加 Id 却几乎不再增加——也即电流饱和。
2024-04-06 19:55:15
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空空如也
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