5-10 学习以及遇到的问题

问：关于如何用万用表测量二极管的阻值

原网友问题：我用数字万用表测发光二极管时,正向电阻为29.6M欧姆(为何会如此大???),而反向电.阻为无穷大

1>用指针式万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为几十至200kΩ，反向电阻值为∞（无穷大）。在测量正向电阻值时，较高灵敏度的发光二极管，管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降约在2V左右（部分发光二极管压降在3V左右，如白色发光二极管等），而万用表R×1k档内电池的电压值为1.5V，故不能使发光二极管正向导通。

2>它是有特殊结构的半导体接触结!不是线性的阻抗元件!你测的是它的静态值!而它的在线特性是动态的!只有在特定的电场作用下它才能呈现出实际参数值!

3>数字万用表测量二极管不应该用电阻档，电阻档电压太低，不足以使二极管导通。有组、专门的二极管档，提供1mA电流，然后显示电压降，不过发光管压降较大，可能超过某些表的指示量程（通常为1.999V）

问：发光二极管工作原理

1发光的原因是光跃迁的时候释放能量

2发不同光的原因是构成PN结的材料不同，如，磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。

3二极管外壳的颜色，是告诉我们这个led是什么颜色的光，与发光没什么关系，但是需要注意的是所有的二极管都能发光，但大多数发光效果并不好。在普通二极管内，大量的光能最终会被半导体材料自身吸收。LED因其独特的构造，可以向外释放大量的光子。另外，它们被安置在一个可以将光线汇聚到某一特定方向的塑料灯泡里面。如下图所示，二极管发出的大部分光线被灯泡侧壁反射回来，然后继续传播，直至它们穿过灯泡的圆形顶端。

问：二极管被击穿是什么意思

1>指反向电压过大,击穿PN结。
此时可以分为分雪崩击穿和齐纳击穿，电流增大，释放更多的热量，当二极管发出的热量烧坏PN节时，二极管就不能再使用了！反向击穿使得二极管失去单向导通性。

问：为什么过大的电流会损坏PN结

原问题：PN结接通正向电流后空穴和电子在电路中导电，书中说如果不串联一个电阻，电流会非常大，从而对PN结造成损坏。为什么过大的电流会对PN结造成损坏呢？是如何造成损坏的呢？
是因为电子的快速移动产生大量的热量，然后产生高温损坏它的物理或者化学结构吗

1>因为过热

2>涉及到PN结的击穿状态，如果你对这方面很感兴趣可以在百科搜索一些关键词“雪崩击穿”、“热电击穿”、“齐纳击穿”等