射频电路设计(如何设计制造出想要的频率的功率放大电路)
第二章和第三章主要讨论微带线的阻抗特性。而它的定量分析方法将在史密斯圆图中介绍
1,上限频率
超过这个频率就不能再用传统的电路理论去分析。
麦克斯韦方程组
功率放大器
直流偏置
40.10.62
12.03:
1,耦合的概念:(来源百科)
耦合ǒu hé(英语:coupling)是指能量从一个介质(例如一个金属线、光导纤维)传播到另一种介质的过程。 在电子学中,耦合指从一个电路部分到另一个电路部分的能量传递。例如,通过电导性耦合( Conductive coupling),能量从一个电压源传播到负载上。利用电容器允许通过交流成分、阻挡直流成分的性质,可以将电路的交流部分和直流部分耦合起来。变压器也可以充当耦合介质,通过在两端配置适当的阻抗,可以达到适当的阻抗匹配。
2,频段粗划分
低频:3MHz以下
射频(RF):3MHz----X波段以下
即(VHF~SHF)88MHz----4.2GHz
微波频段的范围:与工作在X波段及更高频率的雷达系统的频率范围相对应。
3,偏置电路(来源百科)
晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大,就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位(可根据计算获得)。这些外部电路就称为偏置电路。
4,电磁波具有的传播常数β定义了电磁波相对于波长λ在空间的延伸程度,即β=2π/λ。
5,行波(待查)
6,大多数印刷电路板的板材的典型热导率都小于0.5W/m℃,非常差
7,波长与电子系统(电路板甚至单个分立元件的尺度)的实际尺寸越靠近,越有什么危害?
在这种情况下,必须考虑电流信号和电压信号的波动性质
嗯,又一种解释:频率的提高意味着波长的减少。对于射频电路来说,随之而来的是,当波长可与分立电路元件的几何尺寸相比拟时,电压和电流都将随着空间位置不同而变化,即必须把它们看成传输的波。因为基尔霍夫电压和电流定律都没有考虑到这种空间变化,所以必须对传统的集中电路理论进行重大修正。
12.12
1,电感的定义
内部电感L(in)由携带电流的导体内部的磁场产生。外部电感L(ex)则与携带电流的导体外部的磁场有关。两者之和是总电感。
在大多数电路中,人们还必须考虑电感之间的耦合,即某电感的磁场与邻近的一个或多个电感相互耦合。在这种情况下,必须引入互感的概念,即一个电感的电流诱发了邻近的电感中的电流。互感在交调分析和信号完整性研究方面扮演了重要角色。
12.13
1,损耗角正切(loss tangent)tanΔ=σ(diel)/(ωε),其中,σ(diel)是电容极板间的电介质的电导率(一般查表可得)。损耗脚正切也能定义为等效串联电阻(ESR)与电容的电抗之比,所以许多技术手册给出的是等效串联电阻,而非tanΔ。等效串联电阻的阻值由下式给出:ESR=tanΔ/ωC。
2,当电路处于高频时,电感,电容,电阻都会出现寄生电容,引线电感,引线串联电阻等现象。而随着频率的升高,电感,电容,电阻的阻抗都会出现谐振现象(阻抗出现迅速降低或升高现象),而随着频率的继续升高,同样是这样或那样的原因,谐振会往相反的方向变换。求谐振出现或变化的具体原理过程。
3,品质因数Q=ⅠXⅠ/Rs。其中X是电抗,Rs是线圈的串联电阻。这个关于品质因数的定义只有对纯粹的集中参数元件电路才是精确的。假如射频扼流圈的串联电阻为零,那么谐振时的总阻抗则趋于无穷大,但是由于Rs不为零,所以总阻抗的最大值是有限的。通常采用品质因数Q描述线圈串联电阻的影响。
4,这里要补上高频电阻,电容,电感阻抗与频率关系图和等效电路图
12.15(第二章)
1,本章的目的是完成由集中电路模型向分布电路模型的过渡,同时推导出一个最有用的公式:与空间坐标相关的,任意几何结构的射频传输线阻抗表达式。将该方程用于分析和设计高频电路。
12.16
1,为什么要用双导线来做试例?
2,集中参数理论与分布参数理论:当电路元件的特征尺寸超过电磁波波长的1/10左右时基尔霍夫电路理论(集中参数)必须由分布参数的波动理论替代
3,传输线理论(l≥λ/10)对应用分布参数表示方式
4,关于趋肤效应的一点想法
分布参数理论是为了解决趋肤效应出现时电路电性能特征分析设计,是为了对这种现象的出现做一个解释,为了能够在高频的条件下继续应用电路,主要原因是此时电压电流有了空间上的波动。进而原先的集中参数理论不再适用。但若是让电压电流保持不变呢?我的想法是不让趋肤效应出现或减弱。
2021.01.27
为什么当传输线是匹配,Γin–>0时,反射损耗(回波损耗)RL趋于无穷大