东南大学半导体器件物理回忆版本（自用）

1、n、N(E)、F(E)之间的关系，并且三个都要画图表示。

2、给出了P和N能带图，要求画PN结，并且计算Vbi，不是公式计算，按照给的功函数什么计算。

3、BJT理想和非理想情况的图、原因

4、PN的关断时间和什么有关、图怎么画、怎么提升开关速度。

5、忘了？还是让话三极管的图来着？

MOS
1、画耗尽型PMOS并且分析
2、MOS的几个图、积累、反型、耗尽、强反型、以及费米势和什么的关系
3、C-V特性并分析，并且怎么计算氧化层里的载流子
4、综合分析从材料、什么各种分析阈值电压不准的原因
5、宽禁带半导体好处、vdmos和ldmos的区别