具有与 HBM 和 CDM 相关的灵敏度的代表性电子设备或部件的 ESD 灵敏度

ESD 的防护规模为何？ ESDS 因 ESD 事件引致的受损程度，取决于其放电能量消散能力或耐受电压水平，如前 所述，这些因素进而决定零件的 ESD 敏感度。依各 ESD 事件模型进行测试有助于了解 零组件的 ESD 敏感度。尽管测试过程中的放电与真实世界的 ESD 事件，两者间并没有 直接关连性，惟确认了电子组件的 ESD 敏感度后，就可对 ESD 的防护规模提供适当指 引。有关这些测试流程，本系列第五部分有更详细的说明。 根据 ESD ADV1.0，ESD 耐压是“不会导致器件故障的最高电压水平；器件通过所有测试 的较低电压”。许多电子元件在相对较低的电压水平下容易受到 ESD 损坏。许多在低于 100 伏的电压下很敏感，许多磁盘驱动器组件甚至可以承受低于 10 伏的电压。当前产 品设计和开发的趋势是在这些微型器件上封装更多电路，进一步提高了对 ESD 的敏感性， 并使潜在问题更加严重。下表 显示了各种组件的 ESD 敏感性。

器件或部件类型

微波器件（肖特基势垒二极管、点接触二极管和其他>1GHz的检波二极管）

分立MOSFET器件

表面声波（SAW）器件

结型场效应晶体管（JFET）

电荷耦合器件（CCDs）

精密稳压二极管（负载电压调节线，0.5%）

运算放大器（OPAMPs）

薄膜电阻器

集成电路

巨磁阳效应（CMR）和新科技的磁盘驱动器读取头

激光二极管

混合动力车

超高速集成电路（VHSIC）

硅控整流器（SCRs），输出电流<0.175安培，环境温度10°C

*具体的灵敏度等级可从供应商数据表中获得