模电基础学习（一）——PN结

杂质半导体

        在本征半导体（纯净半导体）中掺入合适的杂质元素，便可得到杂质半导体，按掺入杂质元素的不同，可分为N型半导体和P型半导体，掺入杂质越多，导电性能越强。

P型半导体

        在P(Positive)型半导体中，空穴多，自由电子少，多子是空穴，少子是自由电子，空穴带正电。

N型半导体

        在N(Negative)型半导体中，自由电子多，空穴少，多子是自由电子，少子是空穴，自由电子带负电。

PN结

        将P型半导体和N型制作在同一块硅片上，它们的交界面就形成PN结，PN结具有单向导电性。

形成

        P型半导体和N型半导体结合后，交界处p区的多子（空穴）向n区扩散，n区多子（电子）向p区扩散。前者是因为n区的空穴少产生了浓度差，后者是因为p区电子少产生了浓度差，由此产生了扩散。

        n区的电子与扩散过来的空穴结合，p区的空穴与扩散过来的电子结合 ，所以在交界面附近多子浓度下降，p区出现负离子区，n区出现正电子区，它们不能移动，称为空间电荷区，从而形成内电场。随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，其方向由n区指向p区，渐渐没有载流子的浓度差，正好阻止扩散运动的进行。空间电荷区也被称为耗尽层。

图1 载流子的运动

图2 空间电荷区

 单向导电性

       PN结外加正向电压时导通。

        当电源正极接PN结的P端，且电源负极接PN结N端时，称PN结外加正向电压，也称正向接法或正向偏置，此时外电场将多子推向空间电荷区，使其变窄，扩散运动加剧，从而形成正向电流，PN结导通。

 图3 PN结外加正向电压时导通

 PN结外加反向电压时截止。

        当电源负极接PN结的P端，且电源正极接PN结N端时，称PN结外加反向电压，也称反向接法或反向偏置，此时外电场将少子推动，形成反向电流，也称漂移电流，因为少子电流很小，可忽略不计，认为PN结截止。

 图4 PN结外加反向电压时截止

 伏安特性

图5 PN结伏安特性

        其中，i是流过PN结的电压，u是PN结所加端电压，U~(BR)~是一定数值的电压。其中u>0的部分称为正向特性，u<0的部分称为反向特性。

        当反向电压超过U~(BR)~，反向电流急剧增加，称为反向击穿。