二极管初识
二极管的主要参数如下:
一般的二极管可以在正向或反向偏置条件下工作。
当二极管正向偏置时,需要经过一定的电压降(硅为0.7V,锗为0.3V),才能让电流开始流动。此后,二极管上的电压降将保持恒定(0.7V或0.3V)。
但是,在反向偏置中,二极管不会导通,因而输入信号在二极管上将不发生变化。简单地说,理想情况下的二极管,正向偏置时相当于短路,而反向偏置时相当于开路。
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正向电压降(正向压降):指在正向偏置状态下,二极管两端形成的电压差。不同类型和规格的二极管正向电压降值不同。
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反向电压容许值(反向电压):指二极管在反向封锁状态下能够承受的最大电压。
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反向漏电流(反向饱和漏电流):指在反向电压作用下,二极管中的少数载流子流经结区域时产生的漏电流。反向漏电流随着反向电压的增加而呈指数形式增长。
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最大正向电流(额定电流):指在正向偏置状态下,能够通过二极管的最大电流值。超过这个电流值,二极管可能会被损坏。
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断电容量(结电容):指二极管的p-n结区域具有的电容,也是二极管频率特性的重要参数。
二极管的等效电路通常可以用以下两种简化模型进行表示:
理想二极管模型:理想二极管是一个只有单向导电性的理论模型,它可以看做一个开关。相当于一个导体和一个绝缘体之间的交界面,只有在正向偏置时才会导通(电流从正极流向负极),在反向偏置时则截止(基本不导电)。因此,在理想情况下,理想二极管的等效电路为一个具有无限大正向电阻和无限小反向电阻的开关。
实际二极管模型:实际二极管的等效电路通常由一个串联的正向电阻和反向电阻组成,加上一个电容。正向电阻一般很小,反向电阻一般很大,而电容主要由二极管的结电容组成。实际二极管模型因二极管的型号、参数等而异,但总的来说,都可以通过这样一个简单的电路模型来近似描述其特性。
少子对温度非常敏感 多子随温度变化不大
二极管的性能与pn结的本质有关,其中pn结是由n型半导体和p型半导体结合而成的。在pn结中,当正向电压施加到pn结上时,载流子(包括电子和空穴)将进入少数载流子区,并产生电流。相反,当反向电压施加时,多数载流子区中的电子和空穴将被吸引到反向偏压区域,从而形成一个较宽的耗尽层。
在少数载流子区,二极管中主要存在的是少子,即电子和空穴。这些少子对温度非常敏感,因为它们的浓度随温度升高而快速变化。当温度升高时,更多的载流子会生成,从而增加了电子的浓度。这会导致导通电流的增加,并导致二极管的热失效。
相比之下,在多数载流子区,二极管中主要存在的是多子,即电子和空穴都很多。由于多子已经填充了能带,它们的浓度变化不像少子那样剧烈,因此多子对温度的变化不太敏感。换句话说,