二极管基础知识详解

1.二极管定义

将PN结半导体芯片在P区和N区各引出一条金属引线称作正极和负极，再将芯片适当封装后就制成了一只普通晶体二极管。二极管的结构示意图和电路符号分别如下图（a）、（b）所示。

图 1 二极管结构和电路符号

2.二极管分类

（一）按使用的半导体材料分类
二极管按其使用的半导体材料可分为锗(Ge)二极管、硅二极管和砷化镓（GaAs）二极管、磷化镓（GaP）二极管等。
（二）按结构分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
1）点接触型二极管
　　点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2）键型二极管
　　键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3）合金型二极管
　　在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4）扩散型二极管
　　在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5）台面型二极管
　　PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
6）平面型二极管
　　在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
7）合金扩散型二极管
　　它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
8）外延型二极管
　　用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
9）肖特基二极管
　　基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

3.二极管常见品牌

常见的二极管品牌如下图示，安森美、安世、威世、瑞萨、杨杰、强茂等。

如2022年十大发光二极管品牌如下所示。

4.二极管的伏安特性

二极管的伏安特性取决于PN结，可归纳如下几点：
1)具有单向导电特性：二极管正向电流随正偏电压增加呈指数增加，反偏时二极管只有很小的反向饱和电流。当二极管正向电流不是特别大时，其伏安特性电流和电压满足下列PN的伏安方程：

Is为PN反向饱和电流
v为正偏电压
VT为热电压等于kT/q（k为玻尔兹曼常数=1.3810-23J/K，q为电子电荷量=1.610-19C）T为绝对湿度。当T=300K时，VT≈26mV。
上式二极管正偏时，v>0，即以正偏电压方向为参考方向，因此反偏时v应代入负值。当v比VT大几倍时公式（2-1）可得出

但当二极管正向电流很大时，由于P区和N区上的体电阻上电压增大，使二极管的伏安特性有“线性化”的趋势。
2)正偏二极管存在一个使正向电流开始明显增大的导通电压Von。当Si管和Ge管的导通电压典型值为0.7V和0.3V。
3)二极管反偏时，Ge管的反向饱和电流至少比Si管大三个数量级以上。
4)温度增加时，二极管的反向饱和电流明显增加，其规律是：温度每升高10℃，反向饱和电流增大约一倍。二极管的正向特性也与温度有关。温度升高时，正向伏安特性曲线左移，大致的规律是：每温升1℃，曲线左移（2～2.5mV）

5.二极管常见作用

1) 开关电路

在数字、集成电路中利用二极管的单向导电性实现电路的导通或断开，这一技术已经得到广泛应用。开关二极管可以很好的保护的电路，防止电路因为短路等问题而被烧坏，也可实现传统开关的功能。开关二极管还有一个特性就是开关的速度很快。这是传统开关所无法比拟的。
2）限幅电路
在电子电路中，常用限幅电路对各种信号进行处理。它是用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分信号。大多数二极管都可作为限幅使用，但有些时候需要用到专用限幅二极管，如保护仪表时。
3）稳压电路
在稳压电路中通常需要使用齐纳二极管，它是一种利用特殊工艺制造的面结型硅把半导体二极管，这种特殊二极管杂质浓度比较高，空间电荷区内的电荷密度大，容易形成强电场。当齐纳二极管两端反向电压加到某一值，反向电流急增，产生反向击穿。
4）变容电路
在变容电路中常用变容二极管来实现电路的自动频率控制、调谐、调频以及扫描振荡等。