3.1 存储系统

层次化结构

cache-主存层是硬件实现的
主存-辅存层是硬件+操作系统一起实现的 

主存一辅存:实现虚拟存储系统，解决了主存容量不够的问题
Cache一主存:解决了主存与CPU速度不匹配的问题

分类

存储介质

半导体存储器：M、cache
磁表面存储器：磁带、磁盘
光存储器：光盘

存取方式

随机存取存储器RAM：读写任何存储单元时间相同，与位置无关
顺序存取存储器SAM：读取一个存储单元所需时间取决于存储单元的物理位置
直接存取存储器DAM：既有随机存取特性，也有顺序存取特性，先选取存取区域，然后顺序存取
相联存储器CAM：可以按照内容检索到存储位置进行读写，例如块表

信息可更改性

读写存储器(Read/Write Memory)--即可读、也可写(如:磁盘、内存、Cache)
只读存储器(ReadOnlyMemory)--只能读，不能写(如:实体音乐专辑通常采用CD-ROM,实体电影采用蓝光光碟，BIOS通常写在ROM中)

信息的可保存性

断电后，存储信息消失的存储器--易失性存储器(主存、Cache)
断电后，存储信息依然保持的存储器--非易失性存储器(盘、光盘)

信息读出后，原存储信息被破坏--破坏性读出(如DRAM芯片，读出数据后要进行重写)
信息读出后，原存储信息不被破坏--非破坏性读出(如SRAM芯片、磁盘、光盘)

存储器的性能指标

1.存储容量:存储字数x字长(如1MX8位)
2.单位成本:每位价格=总成本/总容量
3.存储速度:数据传输率=数据的宽度/存储周期
4.主存带宽(Bm):主存带宽又称数据传输率，表示每秒从主存进出信息的最大数量

①存取时间(Ta):存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，分为读出时间和写入时间。
②)存取周期(Tm):存取周期又称为读写周期或访问周期。它是指存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间，即连续两次独立地访问存储器操作(读或写操作)之间所需的最小时间间隔。

主存的基本组成

SRAM和DRAM

DRAM用于主存        
SRAM用于cache
DRAM芯片使用栅极电容存储信息，电容是破坏性读出，故而要刷新信息        
SRAM芯片使用双稳态触发器存储信息，这个不需要刷新信息

刷新操作：
1.刷新周期:一般为2ms
2.以行为单位，每次刷新一行存储单元，用行列地址减少选通线的数量
3.硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读/写周期
4.存取周期刷新
假设DRAM内部结构排列成128x128的形式，读/写周期0.5us，2ms共2ms/0.5us=4000个周期

ROM

ROM——非易失性，断电后数据不会丢失，也是随机存取
MROM
厂家按照客户需求，在芯片生产过程中直接写入信息，之后任何人不可重写(只能读出)可靠性高、灵活性差、生产周期长、只适合批量定制

PROM
用户可用专门的PROM写入器写入信息，写一次之后就不可更改

EPROM
允许用户写入信息，之后用某种方法擦除数据，可进行多次重写
UVEPROM 紫外线擦除        EEPROM 点擦除

闪存
在EEPROM基础上发展而来，断电后也能保存信息，且可进行多次快速擦除重写
注意:由于闪存需要先擦除在写入，因此闪存的“写”速度要比“读”速度更慢

SSD
由控制单元+存储单元(Flash芯构成，与闪速存储器的核心区别在于控制单元不一样，但存储介质都类似，可进行多次快速擦除重写。SSD速度快、功耗低、价格高。目前个人电脑上常用SSD取代传统的机械硬盘

主存与CPU的连接

位扩展

其实位扩展是机器字长的扩展，一次性可以处理多少个bit位

字扩展

字扩展相对应的是容量的扩展，高位控制不同的芯片

字位同时扩展

常用的译码器

MERQ：CPU请求内存信号
此外就是输出的是低电平有效

双端口RAM

1、两个端口同时对不同地址单元存取数据        √
2、两个端口同时对同一个地址单元读出数据        √
3、两个端口同时对同一个地址单元写入数据        ×
4、两个端口同时对同一个地址单元，一个写入数据，一个读出数据        ×

解决方法:置“忙”信号为0由判断逻辑决定暂时关闭一个端口(即被延时)，未被关闭的端口正常访问，被关闭的端口延长一个很短的时间段后再访问。

多体并行存储器

高位交叉编址

体号：地址的高几位来区分是哪个存储体
效果不如低位交叉编址，相当于单纯的扩容

低位交叉编址 

体号：地址的低几位来区分是哪个存储体

两者的效率：
低位交叉编址的效率远高于高位地址编码

存储体的数量：
存取周期为T，存取时间为r，为了使流水线不间断，应保证模块数 m≥T/r 

每个模块都有相同的容量和存取速度。
各模块都有独立的读写控制电路、地址寄存器和数据寄存器它们既能并行工作，又能交叉工作。

单体多字存储器

单体多字存储器
每个存储单元存储m个字
总线宽度也为m个字
一次并行读出m个字
每次只能同时取的个字，不能单独取其中某个字
指令和数据在主存内必须是连续存放的

外存储器

计算机的外存储器又称为辅助存储器，目前主要使用磁表面存储器。

磁盘存储器

基础知识

所谓“磁表面存储”，是指把某些磁性材料薄薄地涂在金属铝或塑料表面上作为载磁体来存储信息。磁盘存储器、磁带存储器和磁鼓存储器均属于磁表面存储器。

磁表面存储器的优点:
①存储容量大，位价格低:
②记录介质可以重复使用:
③记录信息可以长期保存而不丢失，甚至可以脱机存档:
④非破坏性读出，读出时不需要再生。磁表面存储器的
缺点:
①存取速度慢;
②机械结构复杂:
@对工作环境要求较高。 

结构

①存储区域
一块硬盘含有若干个记录面，每个记录面划分为若干条磁道，而每条磁道又划分为若干个扇区，扇区(也称块)是磁盘读写的最小单位，也就是说磁盘按块存取。
磁头数(Heads)：即记录面数，表示硬盘总共有多少个磁头，磁头用于读取/写入盘片上记录面的信息，一个记录面对应一个磁头。
柱面数(Cylinders)：表示硬盘每一面盘片上有多少条磁道。在一个盘组中，不同记录面的相同编号(位置)的诸磁道构成一个圆柱面。
扇区数(Sectors)：表示每一条磁道上有多少个扇区。

② 硬盘存储器
硬盘存储器由磁盘驱动器、磁盘控制器和盘片组成
磁盘驱动器:核心部件是磁头组件和盘片组件，温彻斯特盘是一种可移动头固定盘片硬盘存储器。
磁盘控制器:是硬盘存储器和主机的接口，主流的标准有IDE、SCSL、SATA等。

性能指标

① 磁盘的容量:
一个磁盘所能存储的字节总数称为磁盘容量。磁盘容量有非格式化容量和格式化容量之分。
非格式化容量是指磁记录表面可以利用的磁化单元总数。
格式化容量是指按照某种特定的记录格式所能存储信息的总量。
②记录密度:
记录密度是指盘片单位面积上记录的二进制的信息量，通常以道密度、位密度和面密度表示。
道密度是沿磁盘半径方向单位长度上的磁道数;
位密度是磁道单位长度上能记录的二进制代码位数;
面密度是位密度和道密度的乘积。
③平均存取时间:
平均存取时间 =寻道时间(磁头移动到目的磁道)+
                        旋转延迟时间(磁头定位到所在扇区)+
                        传输时间(传输数据所花费的时间)

④数据传输率:
磁盘存储器在单位时间内向主机传送数据的字节数，称为数据传输率。假设磁盘转数为r(转/秒)，每条磁道容量为N个学节，则数据传输率为D=rN

磁盘地址

硬盘的工作过程

硬盘的主要操作是寻址、读盘、写盘。每个操作都对应一个控制字，硬盘工作时，第一步是取控制字，第二步是执行控制字。
硬盘属于机械式部件，其读写操作是串行的，不可能在三时刻既读又写，也不可能在同一时刻读两组数据或写两组数据。

磁盘阵列

RAID(Redundant Array ofInexpensive Disks，廉价冗余磁盘阵列)是将多个独立的物理磁盘组成一个独立的逻辑盘，数据在多个物理盘上分割交叉存储、并行访问，具有更好的存储性能、可靠性和安全性。

RAID的分级如下所示。在RAID1~RAID5的几种方案中，无论何时有磁盘损坏，都可以随时拔出受损的磁盘再插入好的磁盘，而数据不会损坏。
RAIDO:无冗余和无校验的磁盘阵列
RAID1:镜像磁盘阵列。
RAID2:采用纠错的海明码的磁盘阵列。
RAID3:位交叉奇偶校验的磁盘阵列。
RAID4:块交叉奇偶校验的磁盘阵列。
RAID5:无独立校验的奇偶校验磁盘阵列。

固态硬盘SSD

原理

基于闪存芯片，属于EEPROM

结构

读写性能特性

读写是以页为大小：512kb ~4kb，可以理解为一个磁盘的块区
以页(page)为单位读/写- 相当于磁盘的“扇区”
以块(block)为单位“擦除"，擦干净的块，其中的每页都可以写一次，读无限次
支持随机访问，系统给定一个逻辑地址，闪存翻译层可通过电路迅速定位到对应的物理地址
读快、写慢。要写的页如果有数据，则不能写入，需要将块内其他页全部复制到一个新的(擦除过的)块中，再写入新的页

磨损技术

思想:将“擦除"平均分布在各个块上，以提升使用寿命
动态磨损均衡：写入数据时，优先选择累计擦除次数少的新闪存块
静态磨损均衡：SSD监测并自动进行数据分配、迁移，让老旧的闪存块承担以读为主的储存任务，让较新的闪存块承担更多的写任务