qq_56862990的博客

原创 3 KW Vienna 整流器的硬件设计（主电路器件选型）

对于Si材料来说，为了改善由于器件高压化所带来的导通电阻增大的问题，主要使用例如IGBT等少数载流子器件（双极型器件），但是却存在开关损耗较大的问题，其结果是所产生的发热问题限制了IGBT的高频驱动应用。二极管的选择相较于功率开关管MOSFET，除了需要考虑其所能承受的最大电压和电流外，还需考虑二极管的反向恢复时间。直流侧电容具有对输出电压进行稳压和滤波的作用，因此电容大小的选取尤为重要，容值过大，能够增强电压稳定性，减少纹波，但同样会带来响应速度降低、灵敏性减弱等问题，如式(3-46)。