模电知识点（一）

一、基本概念

1.空穴与自由电子 相邻原子之间的共价键称为价电子，价电子获得能量成为自由电子。共价键中留下的空位称为空穴。

空穴带正电，自由电子带负电，电量相等，均称为载流子（可以移动的电荷）。

2.多子与少子

N型半导体:本征半导体中加入5价元素。

P型半导体：本征半导体中加入3价元素。

多子：N型半导体中的自由电子，P型半导体中的空穴。

少子：N型半导体中的空穴，P型半导体中的自由电子。

N型半导体和P型半导体仍然保持电中性。

3.PN结

（1）一块半导体两个部分掺杂形成N型、P型半导体，交界面处形成PN结。

（2）扩散运动：多子扩散（浓度差原因）最终形成内电场。 漂移运动：少子在内电场作用下的运动。

（3）多子扩散，少子漂移最终达到动态平衡。

二、二极管和三极管

（一） 二极管

1.组成：一个PN结向外引出2根线，形成正负极。

2.特性：

（1）单向导电性

（2）开启电压（死区电压）：硅：0.5 V,锗管：0.7V

(3)正向导通：正向电压大于开启电压。二极管导通，当完全导通时，两端的电压保持不变。

（4）反向截止：二极管两端加上反向电压。

（5）反向击穿：反向电压增加到一定值之后，电流急剧增大，随着电流增加，两端电压变化较大。导致这一现象的电压称为反向击穿电压。

3.主要参数：最大整流电路（最大正向平均电流值）、最高反向工作电压、最大反向电流、最高工作频率。

4.应用

（1）整流：交流电变为单方向的直流电。

（2）钳位：输出电压限定在某一定值。

（3）限幅：输出电压幅度限定在某一电压值内。

（4）保护电路：正向导通，反向截止。

5.特殊二极管： 稳压二极管：正偏时相同，反偏时，电流在一定范围内增长，两端电压只有普少许增加，变化很小。

（二）、三极管（双极型晶体管）

1.双极型：两种载流子参与导电。

2.电流控制性器件：输入电流控制输出电流。

3.类型： NPN型、PNP型。 3个杂质区域形成三个极：基极b，发射极e，集电极c 形成2个PN结：b、e之间的发射结。b、c之间的集电结。

4.电路图中的箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。

5.三种工作状态:截止状态、放大状态、饱和状态。

截止状态：2个pn结均处于截止状态。

放大状态：发射结正偏、集电结反偏。

饱和状态：2个pn结均处于正向偏置，此时：饱和压降 U(ce) ：硅0.3 锗 0.1

截止和饱和状态统称为开关工作状态

三、场效应管（MOS管、单极型晶体管）

1.单极型：仅由多数载流子参与导电。

2.电压控制型器件：输入电压控制输出电流。

3.类型：结型和绝缘栅型

结型场效应管

1.类型：N沟道、P沟道。

2.N沟道：N型半导体为衬底，两侧做出两个P+型区，形成2个pn结。

    P沟道：P型半导体为衬底，两侧做出两个N-型区，形成2个pn结。

3.栅极g:P+型区(n沟道为例)两个电极并联形成。 漏极d、源极s：衬底两端引出。

4.沟道：两个pn结中间的区域。电子流经的通路。

5.箭头方向由P区指向N区(N沟道)

6.主要参数：

（1）开启电压U(gs): U(ds)为常数，形成i（d）的最小U(gs)值。

（2）夹断电压U(gs):U(ds)固定时，使i（d）为某一微小电流所需的U(gs)值。

（3）低频跨导g（m）：i（d）的变化量/U（gs）的变化量。