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RSS订阅原创 半导体工艺
刻蚀工艺分类：①湿刻蚀法：使用特定的化学溶液进行化学反应来去除未被光刻胶保护的氧化膜（具有成本低、刻蚀速度快和生产率高的优势，但是，又具有各向同性的特点，即其速度在任何方向上都是相同的。根据光（紫外线）反应性的区别，光刻胶可分为两种：正胶和负胶，前者在受光后会分解并消失，从而留下未受光区域的图形，而后者在受光后会聚合并让受光部分的图形显现出来。：杂质浓度不受限，结深精确控制，横向扩散较⼩，电阻率波动⼩，常温注⼊，退⽕温度约800度，晶格损伤⼤，设备复杂，费⽤⾼。
2024-03-26 18:42:01
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原创 RFID 第一章 射频识别（RFID）技术
③应答器和阅读器之间可以实现双向数据交换，应答器存储的数据信息采用对载波的负载调制方式向阅读器传送，阅读器给应答器的命令和数据通常采用载波间隙、脉冲位置调制、编码调制等方法实现传送。：即标签满足工作条件之后，首先发送信息，读写器根据标签发送的信息，进行记录或进一步发送询问信息，与标签构成一个完整地对话，来达到读写器对标签进行识别的目的。·阅读器的接收天线接收到从标签发送来的调制信号，经天线的调制器传送到阅读器信号处理模块，经解调解码后将有效信息通过通信接口送到后台主机系统进行相关处理；
2023-05-28 21:35:07
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