微机原理静态存储器扩展设计

一、实验目的 1. 能够选择存储器芯片进行硬件设计。 2. 能够编制自检程序进行测试验证。 3. 培养系统设计的全局思维。

二、实验内容 按照规则字写存储器，编写实验程序，将0000H～000FH共16个数写入SRAM的从0000H起始的一段空间中，然后通过系统命令查看该存储空间，检测写入数据是否正确。 本系统采用准32位CPU，具有16位外部数据总线，即DO、D1、…、D15，地址总线为BHE#(#表示该信号低电平有效)、BLE#、A1、A2、…、A20。存储器分为奇体和假体，分别由字节允许线BHE#和BLE#选通。 存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE#和BLE#同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。处理器访问非规则字却需要两个时钟周期，第一个时钟周期BHE#有效，访问奇字节;第二个时钟周期BLE#有效，访问偶字节。处理器访问字节只需要一个时钟周期，视其存放单元为奇或偶，而BHE#或BLE#有效，从而选通奇体或偶体。写规则字和非规则字的简单时序图如图 1所示。 图 1 写规则字（左）和非规则字（右）简单时序图 实验单元电路图如图2所示。 图 2 SRAM单元电路图

三、实验步骤 1. 实验接线图如图所示，按图接线。 2. 编写实验程序，经编译、链接无误后装入系统。 3. 先运行程序，待程序运行停止。 4. 通过D命令查看写入存储器中的数据： D8000：0000  回车，即可看到存储器中的数据，应为0000、0001、0002、…、000F共16个字。

四、实验程序 1、内容程序： SSTACK SEGMENT STACK DW 32 DUP(?) SSTACK ENDS CODE SEGMENT START:  PROC FAR ASSUME CS:CODE,SS:SSTACK         MOV AX,8000H         MOV DS,AX AA0:    MOV SI,0000H         MOV CX,0010H         MOV AX,0000H AA1:    MOV [SI],AX         INC AX         INC SI         INC SI         LOOP AA1         MOV AX,4C00H         INT 21H START   ENDP CODE    ENDS         END START 2、思考题1程序： SSTACK SEGMENT STACK DW 32 DUP(?) SSTACK ENDS CODE SEGMENT START:  PROC FAR ASSUME CS:CODE,SS:SSTACK         MOV AX,9000H         MOV DS,AX AA0:    MOV SI,0001H         MOV CX,0010H         MOV AX,0000H AA1:    MOV [SI],AX         INC AX         INC SI         INC SI         LOOP AA1         MOV AX,4C00H         INT 21H START   ENDP CODE    ENDS         END START 3、思考题2程序： SSTACK SEGMENT STACK DW 32 DUP(?) SSTACK ENDS CODE SEGMENT START:  PROC FAR ASSUME CS:CODE,SS:SSTACK         MOV AX,8000H         MOV DS,AX AA0:    MOV SI,0000H         MOV CX,16*1024         MOV AL,55H AA1:    MOV [SI],AL         MOV BL,[SI]         CMP BL,AL         JNE ERROR         INC SI         LOOP AA1         MOV SI,4000H         MOV CX,16*1024         MOV AL,0AAH AA2:    MOV [SI],AL         MOV BL,[SI]         CMP BL,AL         JNE ERROR         INC SI         LOOP AA2         JMP AA3 ERROR:  MOV DX,2000H AA3:    MOV AX,4C00H         INT 21H START   ENDP CODE    ENDS         END START 五、实验结果 如下图3所示，查看写入存储器中的数据，可以看到存储器中的数据，为0000、0001、0002、…、000F共16个字。可见各个数被存放址单元中。 图 3 按规则字写存储器 六、思考题 1. 修改起始地址，按非规则字写存储器，观察实验结果。 程序见上四实验程序2思考题1程序。为了不覆盖第一次实验结果，我们将存储扩展空间段地址改为9000H，然后给SI寄存器赋奇地址数，MOV SI, OO01H即为非规则字写存储器。实验结果如下图4所示。可见各个数被存放在奇地址单元中。 图 4 2.修改片选线为MY1，按字节方式写存储器，分别输入55H和0AAH，编写自检程序，观察实验现象。     程序见上四实验程序3思考题2程序，通过AL写入55H和0AAH，读入数据存放BL，并将AL和BL进行比较，实验结果如下图5，图6所示。 图 5 图 6    如图5所示，当RAM正常工作时，写入的数据与读出数据一致，DX寄存器不显示2000H，表明没有出错报警提示。   如图6所示，当改变CPU的连线时，RAM不能正常工作，DX寄存器显示2000H，出现了出错报警提示。 七、实验心得     通过本次静态存储器扩展设计实验，我认识了SRAM单元电路图，然后也对存储器硬件结构有了更深入的了解，包括地址线、数据线、控制线的作用及连接方式，不仅深化了对微机原理和SRAM工作原理的理解，还锻炼了硬件电路设计和调试的能力。静态存储器扩展设计不仅是一个电子设计的实际案例，更是一个系统性工程的实践，涉及到硬件设计、软件编写和综合调试的多个环节。通过面对和解决实验过程中出现的问题，积累了不少宝贵的经验。