提升主存速度（双通道原理说明）

双端口RAM

优化多核CPU访问一根内存条的速度

需要有两组完全独立的数据线，地址线，控制线。cpu，RAM中也要有更复杂的控制电路。

两CPU读写一主存必然存在一下四种情况：

1.两CPU同时读写不同的地质单元。🆗

2.两CPU同时读取同一地质单元数据。🆗

3.两CPU同时对同一地址单元写数据。❌

4.两CPU对同一地址单元，一个读，一个写。❌

这里3和4就需要引入锁的机制了，保证同一时间，同一地址单元只能有一个cpu进行写数据，并且写的时候不能读。

多体并行存储器

引入此方法的原因：

当只有一个存储体时，cpu要连续的读取这个存储体中的存储单元中的信息，但是存储体的存储周期=存取时间+恢复时间，而且这个恢复时间比存取时间还要长很多，就导致了如果只有单个存储体，cpu要连续读取时，就需要浪费很长的时间去用来恢复。本来cpu就很快，和主存的速度不匹配。所以就需要引出减少恢复时间的方法，来解决这个问题。

这里还分为了高位交叉的多体存储器和低位交叉的多体存储器，两者的作用使不同的.

高位交叉：相当于单纯的扩容。

低位交叉：就是俗称的双通道，用来提升存取速度，还能扩容。

使用低位交叉编制的多体并行存储器

简单说就是用内存条的数量来减少浪费时间。原本只有一个内存条时，连续存取四个存储单元信息，就需要4T（T表示一个存储周期）的时间。现在改变内存条的数量为4个，并且将传来的地址划分为体内地址和体号。例如：传来地址为00000，就划分为000的体内地址和00的体号，这样存取的地址就是0号内存条的0号存储单元，再连续传来00001，就是存取1号内存条的0号存储单元。这样就避开了一个内存条内存取的恢复时间。四个周期一轮回，这样并行的四个内存条，在连续存取4次，只花费1T的时间。

总结就是：多花成本，节约时间。

看懂了以上例子，你应该也想到了，应该用几个并行存储体能够实现循环的问题？

存取周期为T，存取时间为r，为了使多个存储体之间循环连续不断，第一个存储体存取完后的恢复时间要在n-1个存储体存取完后恢复，以此形成循环。

所以存储体的数量>=T/r

特点：

每个模块都有相同的容量和存取速度。各个模块都有独立的读写控制电路，既能并行工作，也能交叉工作。

单体多字存储器

是上面多体并行存储器的改良版。将多个并行的存储体原本的相互之间独立，并且使用各自的读写电路控制，改为了多个存储体之间不在独立，而是联合起来，并且由一个读写控制电路控制。

此设计的新特点就是：一次读的一行会有多个存储字的信息，通俗的讲，就是将多个存储体同一行的存储单元给连接到一块，给一个读写电信号，就将多个存储单元的信息一次存取。以此来实现连续存取，还只用花费1r的时间。

灵活性会变差，但是读取时间会缩短。

总结：

所以学完以上这些知识，下次当你买内存条时，就可以挑选相同主频，相同容量的两根再通过低位交叉的方式来组成双通道。提升主存的存取速度，提升电脑的性能。

8+8组成双通道 >> 一根16。