LCD1602和DS18B20两个模块的51驱动程序

最新推荐文章于 2024-04-08 18:39:14 发布

编程球

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文章标签： 51单片机单片机嵌入式硬件 Powered by 金山文档

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_65036889/article/details/129065721

版权

LCD 1602

显示原理

LCD1602 显示器总共有16*2 个地址往每个地址中写入对应的数据就会在屏幕对应的地方显示出字符出来

🟢 写地址命令中最高位D7 必须保持高电平所以地址一般都是 ==0x80 + 对应位置的地址==

写时序分析

控制引脚	时序描述
RS	写地址==0 写数据==1
R/W*	写==0
E	初始状态为0 延时25ns置1 然后延时150ns置零（下降沿执行命令）然后再延时25ns结束

#include "reg52.h"
#include "intrins.h"
#include "delay.h"
 
#define databuffer P0  //定义D0-D7引脚
sbit EN = P2^7;
sbit RS = P2^6;
sbit RW = P2^5;
 
void Write_cmd_Func(char cmd)  //写命令函数
{
	check_busy();   //检测忙信号函数
	RS = 0;    //RS为低电平：写指令
	RW = 0; 
	
	EN = 0;
	_nop_(); //执行一个空函数，延时约1us
	databuffer = cmd;
	_nop_();
	EN = 1;
	_nop_();
	_nop_();
	EN = 0;  
	_nop_();	
}
 
void Write_data_Func(char datashow) //写命令函数
{
	check_busy();  //检测忙信号函数
	RS = 1; //RS为高电平：写内容
	RW = 0;	
	
	EN = 0;
	_nop_();
	databuffer = datashow;
	_nop_();
	EN = 1;
	_nop_();
	_nop_();
	EN = 0;  
	_nop_();

读时序分析

控制引脚	时序描述
RS	写地址==0 写数据==1
R/W*	读==1
E	初始状态为0，延时tR后拉高，之后再延时tPW后拉低。写时序E=0开始传送数据读时序需要等E=1之后才开始传送数据


void check_busy()//检测忙信号函数
{
	char tmp = 0x80; //创建一个变量，存放数据
 
	databuffer=0x80; //初始值为忙，只要当单片机发数据后高位变低后才为不忙
    
    // 这里会一直检查是否忙  等待不忙的时候才会fan'hui
	while(tmp & 0x80){  //检测tmp的高位bf的值是否为高电平，如果为忙程序卡住不往下执行         
                        //高电平：忙   低电平：不忙
	RS = 0;
	RW = 1;
	EN = 0;
	_nop_();
	EN = 1;
	_nop_();	
	_nop_();
	tmp=databuffer;
  	EN = 0;
	_nop_();	
	}

DS18B20温度传感器

ROM

功能: 保存独有的地址序列码

高速暂存器

🟢组成部分

温度传感器

一个字节的温度上限和温度下限报警触发器(TH和TL)

配置寄存器允许用户设定9位，10位，11位和12位的温度分辨率，分别对应着温度的分辨率为：0.5°C，0.25°C，0.125°C，0.0625°C，默认为12位分辨率， 🟢==这个一般都采取默认设置采用12位分辨率的温度==

🟢有九个字节

字节0~1 是温度存储器，用来存储转换好的温度。第0个字节存储温度低8位，第一个字节存储温度高8位

字节2~3 是用户用来设置最高报警和最低报警值(TH和TL)。

字节4 是配置寄存器，用来配置转换精度，可以设置为9~12 位。

字节5~7 保留位。芯片内部使用

字节8 CRC校验位。是64位ROM中的前56位编码的校验码。由CRC发生器产生。

存储器

高速的RAM

可擦写的EEPROM (可编程可擦写)

存储高温和低温触发器以及配置寄存器的值

初始化时序

🟢任何器件想要使用，首先就是需要初始化，对于DS18B20单总线设备，首先初始化单总线为高电平，然后总线开始也需要检测这条总线上是否存在DS18B20这个器件。如果这条总线上存在DS18B20，总线会根据时序要求返回一个低电平脉冲，如果不存在的话，也就不会返回脉冲，即总线保持为高电平。

单片机拉低总线至少480us，产生复位脉冲，然后释放总线（拉高电平）。

这时DS8B20检测到请求之后，会拉低信号，大约60 ~240us表示应答。

DS8B20拉低电平的60~240us之间，单片机读取总线的电平，如果是低电平，那么表示初始化成功

DS18B20拉低电平60~240us之后，会释放总线。

unsigned int Init_DS18B20(void)
{
  unsigned int x=0;
  DQ = 1;      //DQ复位
  delay(4);    //稍做延时
  DQ = 0;      //单片机将DQ拉低
  delay(60);   //精确延时，大于480us
  DQ = 1;      //拉高总线
  delay(8);

  x = DQ;      //稍做延时后，如果x=0则初始化成功，x=1则初始化失败
  delay(4);
  return x;
}

写时序

🟢总线控制器通过控制单总线高低电平持续时间从而把逻辑1或0写DS18B20中。每次只传输1位数据

单片机想要给DS18B20写入一个0时，需要将单片机引脚拉低，保持低电平时间要在60~120us之间，然后释放总线

单片机想要给DS18B20写入一个1时，需要将单片机引脚拉低，拉低时间需要大于1us，然后在15us内拉高总线.

在写时序起始后15μs到60μs期间，DS18B20处于采样单总线电平状态。如果在此期间总线为高电平，则向DS18B20写入1;如果总线为低电平，则向DSl8B20写入0。

// 写一个字节  或者写指令
void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
  unsigned char i=0;
  for (i=8; i>0; i--)
  {
    DQ = 0;  
    // 如果位是1的话  就拉高 然后延时  因为指令执行时间已经超过了1us 可以马上拉高 输入1
    // 如果位是0的话  就拉低 然后延时
    DQ = dat&0x01;  //与1按位与运算，dat最低位为1时DQ总线为1，dat最低位为0时DQ总线为0
	delay(4);
    DQ = 1;
    dat>>=1;
  }
  delay(4);
}

🟢写入的ROM指令

采用多个DS18B20时，需要写ROM指令来控制总线上的某个DS18B20

如果是单个DS18B20,直接写跳过ROM指令==0xCC==即

🟢温度转化命令

0X44 ==读取好的温度会存储在高速暂存器的第0个和第一个字节中==

读时序

读时隙由主机拉低总线电平至少1μs然后再释放总线，读取DS18B20发送过来的1或者0

/*****读一个字节*****/
unsigned char ReadOneChar(void)
{
  unsigned char i=0;
  unsigned char dat = 0;
  for (i=8;i>0;i--)
  {
    DQ = 0;     // 给脉冲信号
    dat >>= 1;
    DQ = 1;     // 给脉冲信号
    if(DQ)
    	dat|=0x80;
	delay(4);
  }
  return(dat);
}