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用Cadence Virtuoso IC617仿真CMOS反相器
一、固定W与L时的输入输出特性
使用第一篇文章中提到的SMIC 0.18um工艺作为原理图使用的工艺,建立如下原理图,用于测量输出电压随输入电压的变化而变化的曲线。VDD由V2控制,设置固定值为3V,输入由V1控制,设置为变量vin。此处设置MOS的W和L为固定值,分别为220nm和180nm。
易错一:此原理图为CMOS反相器,由一个N-MOS和一个P-MOS组成。
易错二:N-MOS的B极连接到GND,P-MOS的B极连接到VDD。
原理图
仿真结果
二、扫描W对输入输出特性的影响
在上一节中,介绍了固定MOS的W与L时,输入与输出的特性。为了直观地观察在不同晶体管尺寸下的电路特性,我们需要用扫描变量的方式来对电路进行仿真。
2.1 原理图
将原理图改成如下图。即,把MOS的W改成变量。这里只记录扫描W的过程,扫描L的过程同理,不再赘述。
设置扫描N-MOS的W,结果如下。可以看出随着W的变大,输出曲线左移,也就是vin=vout的点左移。
设置扫描P-MOS的W,结果如下。可以看出随着W的变大,输出曲线右移,也就是vin=vout的点右移。
三、输入为方波时的输入输出特性
前面记录的都是输入电压作为变量,进行直流DC分析。现在将输入换成方波,进行时域分析。
原理图
在前面原理图的基础上,将输入电压源V1改成方波输入。具体如下,选取器件库中的vpulse加入原理图中。
方波信号的参数设置如下。这里主要设置其峰值范围为0-3V,周期为2ns,脉冲宽度为1ns,最终得到一个50%占空比的方波。
5个周期反向