STM32读写内部自带的flash

STM32中存储区分为：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。

最近在学习RFID-RC522相关的知识，想着把读到的32位卡号存储在ROM中，市面上也有相应的模块，比如W25Q64、AT24C02等等；我在这里由于方便，就直接把32位数据存储在STM32自带的ROM（flash）里面了。

（一）、内部flash相关的介绍

我在本次实验中用到的是F103C8T6最小系统板（中密度产品）。

flash最多可以写10万次，所以不能在主循环内调用往flash写入数据的函数。

通过查阅产品的英文手册可知：

     该芯片的内部 FLASH 包含主存储器、信息块以及闪存存储器 接口寄存器，一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候，都是指这个主存储器区域，芯片型号说明中的256K FLASH、 32K FLASH 都是指这个区域的大小。与其它 FLASH 一样，在写入数据前，要先按扇区擦除。

   而且由上面的图可知内部的flash的基地址是0x0800  0000,由128页构成，每页有1K字节（2的10次方等于1024，数量级就是1K）。

（二）、对内部flash写入的过程

如下图：

1. 解锁 （固定的KEY值）
(1) 往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123 
(2) 再往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB 

英文手册具体位置：

2、清标志位

FLASH_FLAG_BSY、FLASH_FLAG_EOP、FLASH_FLAG_PGERR、FLASH_FLAG_WRPRTERR

3、按页擦除

具体步骤如下：

(1) 检查 FLASH_SR 寄存器中的“忙碌寄存器位 BSY”，以确认当前未执行任何 
Flash 操作； 
(2) 在 FLASH_CR 寄存器中，将“激活扇区擦除寄存器位 SER ”置 1，并设置“扇 
区编号寄存器位 SNB”，选择要擦除的扇区； 
(3) 将 FLASH_CR 寄存器中的“开始擦除寄存器位 STRT ”置 1，开始擦除； 
(4) 等待 BSY 位被清零时，表示擦除完成。

4、擦除后就可以在相应的页写数据了

（我们是32位的系统）库函数提供了3个方式，分别是按字写、按半字写和按字节写，在本次的过程中我用的是最后一种方式。连续写4个字节数据就刚好是一个IC卡的卡号了。

5、清除标志位、上锁。

（三）、相关部分工程代码

void FLASH_W(u32 add,u8 dat1,u8 dat2,u8 dat3,u8 dat4)
{
	 FLASH_Unlock(); //解锁FLASH编程擦除控制器
     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
     FLASH_ErasePage(add);    //擦除指定地址页
     FLASH_ProgramOptionByteData(add,dat1); //从指定页的addr地址开始写
	 FLASH_ProgramOptionByteData(add+1,dat2);
	 FLASH_ProgramOptionByteData(add+2,dat3);
	 FLASH_ProgramOptionByteData(add+3,dat4);
     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
     FLASH_Lock();    //锁定FLASH编程擦除控制器
}

flash指定地址连续写入4字节数据。

u16 FLASH_R(u32 add)
{
	u16 a;
    a = *(u8*)add;
	return a;
}

flash读4位数据。