multisim软件实验

1.半导体器件特性曲线测试方法的研究

 

一、题目

 

利用IV分析仪测量二极管的伏安特性

 

二、测量方法及步骤

 

1.选择元件:在Multisim 主界面的左侧元器件栏中选择某种型号的二极管( Diode),如1N4148,并将某拖至电路图窗口。

 

2.选择仪器:在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪(IV - Analysis) ，也将其拖至电路图窗口;打开IV分析仪,在仪器的Conponents栏选择Diode,IV分析仪的右下角将显示出二极管管脚所接端子。

 

3.完成测试:单击SimParam，设置仪器参数;闭合仿真开关，即可得到伏安特性曲线。移动光标，可以读出管压降及其对应的电流值

 

实验如图所示

 

三、举一反三

 

   利用IV分析仪测试二极管的伏安特性简单易行,而且可以推而广之,采用同样方法测出晶体三极管和各种场效应管的特性曲线。

 

  按上述步骤可测出晶体管的输出特性曲线，如图所示。值得提醒的是,测试时需对两个参数基极电流L b和管压降V ce分别进行