计算机动态存储

DRAM 存储位元是基于电容器上的电荷量存储信息的，DRAM 的读操作是破坏性的。读操作会使电容器上的电荷流失，因而读出后必须刷新。而未读写的存储元也要定期刷新，因为电荷量会逐渐泄潺而减少。从外部看，刷新操作与读操作类似，只是刷新时无须送出反据，并且可以将一行的所有存储元同时刷新现代的 DRAM 芯片通常会在一次读操作之后自动地刷新选中行中的所有存储位元。但是读操作出现的时间不是固定的，因此必须对 DRAM 进行周期性的刷新，以保持其记忆的信息不丟失。早期的 DRAM 需要由存储器控制器从外部向 DRAM 芯片送入刷新行地址并启动一次刷新，而现代的 DRAM 都支持自动刷新功能，由芯片内部提供刷新行地址。故图 3.10中增加了刷新计数器(刷新行地址发生器)和相应的控制电路。刷新计数器的宽度等于行地址锁存器的宽度。由于自动刷新不需要给出列地址，而行址由片内刷新计数器自动生成，故计鼻却组成原浬

司利用CA5信号先于反AS信号有效来启动一次刷新操作，此时地址线上的地址无效。