模电疑难解答与概念阐释

生煎大鼻噶

已于 2023-08-21 17:59:02 修改

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文章标签：硬件工程

于 2023-08-13 20:19:11 首次发布

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一.常用半导体器件

1.1基础知识

1.1.1本征半导体

1.纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体，解释纯净和具有晶体结构？

纯净：半导体通过参杂改变导电性，没有参杂和杂质的就是纯净

有晶体结构：因为存在非晶态半导体，原子排列没有长程的周期性，而是呈现无序、非晶态的结构。非晶态半导体通常用于一些特定的应用，例如柔性显示技术中的薄膜晶体管，太阳能电池中的某些薄膜材料

2.空穴为什么带正电，本来有电子的位置现在没有电子了为什么不是不带电了？

空穴是一个电子离开的位置，这个位置实际上没有电子了。所以，空穴本身不带电。但是由于电子不断填补空穴使空穴不断移动，这样负电荷的正向移动实际上跟正电荷的逆向移动是等效的。因为从电流的角度来看，负电荷的正向移动和正电荷的逆向移动都会导致电流方向相同的变化，其物理效果是一致的。所以，空穴的带正电荷的表述实际上是为了简化描述和分析半导体中的电子和空穴的移动过程，而不是说空穴本身实际带有正电荷。

3.那为什么说有电子和空穴两种载流子，照你这么解释应该只有自由电子一种呀

注意！我们说的电子是载流子指的是自由电子，也就是导带中移动的电子，跟填补空穴的价电子是不同的，价电子不能导电。但是在价带中又确实存在一种载流子使其能导电，那我们干脆就把空穴当作一种正电载流子。实在不能理解就这么想：实际上的载流子是自由电子和填补空穴的价电子，但是我们以前都说价电子不能导电，不希望在此破例，所以让空穴当载流子，况且我研究还会方便很多，那何乐而不为。

1.1.2杂质半导体

1.既然n型半导体自由电子这么多，那为什么n型半导体不整体带负电

因为p原子核内有相等数量的质子

1.1.3PN结

1.参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结，为什么数目会相等，怎么动态平衡的

漂移运动会使内电场加强，扩散运动使内电场减弱，为了让pn结稳定，数量就要相等。也不用担心少子漂移完了就没了，他同样是不断产生和湮灭动态平衡数量不变的。

2.p型含正电的空穴，n型含负电的电子，那电场不是正电指向负电就是p指向n吗？

还是一样不能只看电子而忽略了原子核，n区失去了电子以后就会产生正离子，p区同理，所以实际上是正离子指向负离子的方向才是电场方向。

3.pn结中加了正向电压扩散运动怎么会源源不断的进行呢，电子填补完空穴不就结束了吗？

电子填补完空穴之后不会一直待在空穴处，他会被电源施加的电场赶着走，让下一波电子再来填补。那电子数量是无限的吗可以一直来填补空穴？数量不是无限的，但是电子是循环利用的，电子到了正极以后在电池的作用下可以逆流而上重新回到负极再走一圈。

4.既然n型参杂是为了提供自由电子，那为什么不参杂七价元素提供更多的电子

首先了解几个概念：

价带（Valence Band）： 价带是最高占据电子能级的能带，其内的电子通常与原子核较紧密地结合形成共价键或离子键。在这个能带中，电子无法自由地移动，因为所有能级都被电子占满。价带中的电子可以通过吸收能量跃迁到导带，但这需要足够的能量来克服能带隙。
导带（Conduction Band）： 导带是位于价带上方的能带，其中的电子可以自由地移动并参与导电。在导带中，电子可以随着电场的作用而移动，形成电流。
能带隙（Band Gap）： 能带隙（也叫禁带）是价带和导带之间的能量差异，对于绝缘体，能带隙较大，价带中的电子难以跃迁到导带，因此材料不会导电。对于导体，能带隙非常小，价带和导带之间的能量差异很小，电子容易跃迁到导带，从而产生导电性。就比如说我们前面讲到的本征激发，在绝缘体中即使由于热运动价电子可以脱离原有位置，但是由于能隙过高，到不了导带，成为不了自由电子也就导不了电

1.如果杂质的能级处于带隙之间，它可以捕获来自导带的自由电子，这是因为电子的能量处于导带的能级范围内，可以从导带跃迁至杂质能级。捕获后，电子在杂质能级中停留（因为跃迁能量是量子化的，杂质能级通常是能带中的一个局部能级，具有较小的能量范围。一旦电子被捕获到杂质能级，它只能在该能级附近停留，无法漫游到其他能级，因此无法参与导电），不再对导电产生贡献。这导致了载流子的陷阱，减少了可导电的自由载流子数量。

2.七价元素通常不容易在晶格中稳定地替代半导体晶格位置，因为它们的原子尺寸和结构与半导体材料不匹配。这可能会导致晶格缺陷和不稳定性。

原子尺寸不匹配： 半导体材料的晶格结构是由原子按照一定的排列方式组成的。七价元素的原子尺寸可能与半导体晶格的原子尺寸不匹配。当一个七价元素尝试替代晶格中的半导体元素时，其原子尺寸可能不太适合所在的晶格位置，从而导致晶格畸变。这种畸变可能引起局部电子分布的不均匀，导致电荷不平衡，进而影响材料的导电性和性能。
化学反应和电子结构不匹配： 七价元素的化学性质与半导体材料的元素不一定匹配。在元素替代时，它们的电子可能无法与周围的半导体元素形成稳定的键合，从而导致局部的化学不稳定性。这可能会导致能带结构的畸变，电子态的混乱以及电子在材料中的不受控移动。
晶格缺陷和电子亲和能： 由于七价元素与半导体晶格的不匹配，其替代可能会引入晶格缺陷。这些缺陷可能包括点缺陷（如空位或杂质原子）以及线缺陷。这些缺陷会影响电子的运动和能带结构，降低材料的导电性和稳定性。此外，七价元素通常具有较高的电子亲和能，即它们倾向于接受电子。这可能导致在材料中形成不稳定的电荷区域，从而干扰材料的电子流动。

所以说虽然它提供的电子多，但是还是得参杂个像一点的，毕竟最合适的才是最好的。

3.为什么当外加正向电压一定时，靠近耗尽层交界面的地方非平衡少子的浓度高，而远离交界面的地方浓度低，且浓度自高到低逐渐衰减，直到零?

正向电压增加时，N区将有更多的电子扩散到P区，也就是P区中的少子，相当于只要施加的电压够大，n区的电子就不仅会去填补空穴，还会去充当p区的少子，越靠近耗尽层，电子走的距离越短就越容易成为非平衡少子，浓度也就越高。而且为了让电子去填补远离pn结的空穴，电子需要在p区中扩散，所以在p区中必然存在浓度差，也可以解释。

4.施加了反向电压以后为什么n区的原子核不会运动到p区？

太重了，电场基本影响不了

5.为什么加了正向电压电子是推向空间电荷区使其变窄，而不是推向p区填补空穴使空间电荷区变宽?

因为电子和空穴都在运动，所以其实他们复合的位置应该在空间电荷区而不是主要在p区和n区，而且加了正向电压后电子和空穴会中和掉正离子和负离子，使空间电荷区变窄

6.温度，正，反向电压对pn结的影响

温度越高，载流子浓度越高，扩散运动越强，相同电压下电流越大，那么pn结就越窄，由于p区和n区都是电中性的，内电场是由空间电荷区内的正负离子产生的，所以pn结越窄，内电场越弱。那么开启电压也会越小。在负向电压下，少子的动力更强，漂移运动越剧烈，更容易击穿，击穿电压越小，漂移电流（反向电流Is）也越大。

施加正向电压会使pn结变窄，内电场减弱。反向电压越大，n区电子被施加的电场扯得越远，pn结越宽