元器件
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qqliyunpeng
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场效应管 - MOSFET
1. 简介 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), 中文名:金属氧化物半导体场效应晶体管。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。---wiki2. 分类说明 根据其沟道极性的不同,可分为电子占多数的N沟道型和空穴占多数的P沟道型。 N沟道场效应管用的比较多。 场效应管是压控器件,所以,控制侧消耗的电流极其小。3. 逻辑3.1 N 沟道场效应管图形如下......原创 2020-11-07 14:16:04 · 1365 阅读 · 0 评论 -
硬盘和内存的速度
1. 简介随着电子技术的发展,内存和硬盘的速度都在提高,但同时,旧技术因为应用场景依然存在,速度上有个大致的理解上有必要的。2. 内存的速度3. 存储介质的速度 操作平台 读 写 NVME PCIE SSD(gen3 4x) 2.1 GB/s 1.2 G...原创 2020-01-15 15:24:24 · 2018 阅读 · 0 评论 -
运放前端的电阻线性度的问题
以前一直以为运放的输入端的电阻原创 2014-04-16 23:38:34 · 2217 阅读 · 0 评论 -
AD7606
在只给芯片的RANGE和PAR_SER引脚上电(不给芯片加电)的时候,芯片严重发热。改回给芯片加电,发热消失,芯片正常工作,芯片没有损坏。原创 2014-03-27 10:25:53 · 3145 阅读 · 0 评论 -
ds020507
芯片输出端不加负载的时候,芯片的输出电压是9点多伏。加上大的负载,芯片发热,电压接近输入电压。正常负载,芯片输出7.0几伏。原创 2014-03-27 10:28:13 · 750 阅读 · 0 评论 -
at24c02系列和at24c256系列的比较
at24c02系列包括的有:at24c256系列包括的有:原创 2014-05-16 15:41:23 · 8556 阅读 · 0 评论 -
NOR flash and NAND flash
(1)读写的基本单位应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据原创 2015-03-12 12:04:37 · 782 阅读 · 0 评论 -
钽电容耐压值
钽电容耐压等级标识钽电容对电压要求比较高,一般要求留有50%的裕量。如果超出其耐压值,则会损坏,甚至爆炸。从钽电容表面丝印信息,即可看出其面耐压等级。具体如下:电压代码 额定电压 V(85°C)F 2.5 G 4 L、J 6.3原创 2014-12-24 17:13:30 · 13380 阅读 · 0 评论