场效应管 - MOSFET

1. 简介

    MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), 中文名：金属氧化物半导体场效应晶体管。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。---wiki

2. 分类说明

    根据其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型和空穴占多数的P沟道型。

    N沟道场效应管用的比较多。

    场效应管是压控器件，所以，控制侧消耗的电流极其小。

3. 逻辑

3.1 N 沟道场效应管

图形如下

 另外的一个图示

 

G 高电平导通，导通方向是 D 到 S 

导通情况：

1. 当栅极G引脚悬空时，漏极D和源极S相当于一根导线，载流子为游离的电子；（电流较小）
2. 当栅极G引脚接低电平，D极和S极之间的通路被阻断。
3. 当栅极G引脚接高电平，D极和S极之间的通路导通。(G 高电平导通)

3.2 P沟道场效应管

图形如下

另外一个图示

G 低电平导通，导通方向是 S 到 D 

同样时

(G 低电平导通)

4. 使用过的场效应管简介

CSD13381F4

手机 或者 手持类 设备上使用过，1.8v的开关控制使用过，封装0402。

D-S间的最大可控制电压是12v，几个关键特性