石英晶体元件等效电路图
R1 -----------为动态电阻，即等效串联谐振电阻，大约为几个欧姆到几万欧姆;
L1 ----------为动态电感，其值大约是0.001~15000H；
C1 ----------为动态电容，其值大约是5~20×10-3pF；
C0 ----------为静电容（并电容），其值大约是1~30pF；
石英晶体元件种类
a. J2型晶体：频段：8kHz~600kHZ
电阻焊：48U（硬腿）、51U（软腿）
锡封焊：6U（硬腿）、33 U（软腿）
频率在8kHz~180kHZ的晶体，因片子尺寸较长，锡封焊外壳尺寸为39~45mm（高度）。
b. J1型晶体：频段：850kHz~125MHZ
c. J3型晶体：频段：1.8MHz~70MHZ
外形：49U、49T两种
超高频：70~250MHZ
小公差：8~75MHZ
温度频差：±5、±10、±15ppm（-25~55℃/0~50℃）
调整频差：±10、±15、±20ppm
d. 微型晶体：频段： 8~150MHZ
e. 49S晶体：频段： 3.5~60MHZ
f. 时钟振荡器：
应用于计算机、程控交换机、VCD、彩电机顶盒作为有源信号源的频标源。
g. 石英晶体振荡器：
随之市场需求和发展，对晶体谐振器的深加工形成振荡器门类，即为有源网络、石英谐振器与集成电路、表贴电子元件、Ic电路组成器件，为整机厂家配套使用。类别如下：
普通晶体振荡器（XO）、压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温控制晶体振荡器（OCXO）、温补压控晶体振荡器（TCVCXO）、温控压控晶体振荡器（OCVCXO）、数字补偿晶体振荡器（MCXO）、铷——晶体振荡器（RbXO）。
应用于程控交换机、军用载波雷达通讯、仪器仪表中的频率信号源。还可以根据用户使用提出的不同特殊参数进行加工生产，从而满足整机厂家对产品的特殊需求。
注：A为一般振荡信号源（10-4~10-6）
B采用改变电压值而达到调整一定的频率范围的有源网络信号源（10-5压控范围±50~150×10-6）。
C 采用特定的网络补偿形式使有源频率信号源在温度范围内具有很好的稳定性（10-6）。
D 采用温控线路及恒温材料从而保证有源频率信号具有很高的稳定度（10-8~10-11）。
E 采用补偿网络及电压控制的有源网络信号源（10-6~10-7±100×10-6）。
F 采用温控及电压控制的有源网络信号源（恒温压控型10-8~10-9）。
G采用数模转换用微处理器数字补偿方法，参数介见于温补及恒温间的有源网络频率信号源（10-7~10-8）。
H 作为原子钟，基准的有源频率信号源（10-11~10-13）。
6.1.3石英晶体元件的选用
a. 选择晶体应从产品结构、外形尺寸及相应参数考虑，其主要指标有频差、电阻、静态电容及动态电容等，所以选择的电阻值及负载电容与线路配套使用有很大关系，选择参数要符合电路中的参数需求，特别是负载电容及电阻要选择适合，才能达到使用的最佳晶体的主要特性频率随温度而变化，其变化在（104~10-5）量级（在宽温下），分为调整频差（在室温情况下，标称频率的偏离值）和温度频差（在工作温度内其工作频率相对于基准温度下，工作频率最大偏离值）。
总频差包括其调整频差和温度频差，所以用户可根据电路需求而进行选择。
b. 振荡器
由于振荡器使用在不同的环境条件下，要有针对性选择，在选择所需产品技术指标时，主要考虑整机所需求的频率稳定度来确定振荡器的种类（共8类）。
选择振荡器种类一般分二种类型，一个为正弦波输出，另一个为方波，其特性参数由整机需求而定。
正弦波常规要求≥0.5V（有效值）、负载特性（50Ω、510Ω、910Ω、1KΩ空载）、正炫波的失真度≤5~20%。
方波常规要求≥3.5VP-P（峰-峰值）
负载特性（扇出系数1-10TTL）由整机厂家提出：
占空比： 40/60~45/55;
上升、下降沿≤10ns；
分TTL和CMOS两种类型：
工作电流（与整机提供电压有关，即消耗的功率）根据不同振荡器有所不同，在十几个毫安到几百个毫安。
c. 需注意的几个问题：
主要依据整机的需求而选择振荡器门类，使用特性要明确（确定主要指标）。
确定好负载特性，即阻抗值。
考虑整机所使用的环境而确定频率稳定度。
针对整机使用方法及线路形式而确定机械微调及电微调。
所选择的振荡器门类一定要与整机线路对应一致，既要考虑性能参数又要考虑振荡器的使用特性（主要区分晶体振荡器、LC振荡器）。
对于方波输出类别，要考虑与整机线路配套使用，主要方波类别、负载效应、电容分布参数的影响，屏蔽特性，温度特性。
总之，在使用晶体振荡器时要考虑综合因素，确定技术参数，从而达到正确使用。
6.2 晶体滤波器
随着电讯技术的发展，晶体滤波器的用途越来越广泛。由于它的频率特性好而被广泛应用于军事装备、民用通信、导航、广播电视和宇航工程等电子装置中。由于石英谐振器的Q值高和温度系数小，能满足多种滤波器性能要求，因此在滤波器方面得到广泛应用。
晶体滤波器有分立式和单片是两种。分立式带通滤波器所覆盖的频率范围从10 kHZ~300MHz,其带宽从0.01%~10%。单片式晶体滤波器所覆盖频率范围8MHZ~100MHz,其带宽0.1%~1%。
6.2.1 晶体滤波器种类
晶体滤波器可分为带通、带阻、高通、低通和梳行滤波器，还有不常用的边带、有源晶体滤波器等。
a. 带通晶体滤波器可以分为三种带宽，窄带、宽带和中等带宽。宽带晶体滤波器的相对带宽在1%以上，而中等带宽晶体滤波器的相对带宽大约在0.1%~1%。
b. 带阻晶体滤波器的作用正好和带通滤波器相反，是指两个规定的通带之间为单一阻带的滤波器。除了对特定的频率拟制外，同时还要提供频域宽广的通频带。
c. 高通滤波器是指高于截止频率的频域为一通带，而低于截止频率的频域为一阻带的滤波器。
d. 梳行滤波器是指具有两对连结端，并且具有五个或五个以上的频带，其中有两个或两个以上的频带为通带，而另外两个以上的频带为阻带的滤波器。
e. 边带晶体滤波器是指一种能提取边带信号的，并满足规定性能要求的带通滤波器。
在调幅制的通讯系统中，采用单边带通信有三个优点：1.占有频带减少一半;
2.节约能源；3.保密性强。因此，多路传输电话和短波无线电通讯大都采用单边带体制。
f. 线性相移滤波器是指在一定通带内，具有线性相移特性的晶体滤波器。
g. 声表面波滤波器是指在压电晶体表面上按特定要求形成叉指交换器，用以产生控制和检出表面波的滤波器。
6.2.2 主要性能指标
中心频率：是指滤波器通带内两个截止频率的几何平均值。即f0=fc1*fc2
通带宽度：两个截止频率之差即为通带宽度。
通带波动：在规定的滤波器通带之内，波峰与波谷衰减差的最大值。
插入损耗：在滤波器最小损耗频率处的功率损耗。
阻带抑制：在规定的阻带频率范围内最小的相对衰减值。
矩形系数：在规定的两个衰减数值上其相应带宽之比，其值大于1。矩形系数越接近1，滤波器的过渡带越窄，滤波器的选择性越好。
6.2.3 晶体滤波器的选用
a.中心频率的选定
在许多情况下，晶体滤波器并不能直接工作在一些低的原始信号的品带上。通常时采用变频技术，将一些原始的频率信号搬移到适于晶体滤波器制作的频率上。对载波通讯可将话音搬移到60~108kHz的频段或8.14MHz附近的频率上。对无线通讯可用在1.4MHz、10.7MHz、21.4MHz或更高的频率上。
b.通带宽度的选定
滤波器的通带宽度是用于传输信息的，正确的通带宽度，必须对所通过的信号的频谱加以分析，要保证所需的信号有不失真的传输，而对不需要的信号加以拟制。对于各种要求都必须在晶体滤波器设计可实现的条件下提出。晶体滤波器可实现的带宽，在基频的应用情况下（一般指35MHz以下），只能为1‰~4‰,而在甚高频时，要有取几次泛音来设计，其相对宽度则只能是基频应用的n平方分之一。
C．阻带衰减的选选定
在现代通讯系统中，系统的抗干扰能力，是通信的重要指标之一，而系统的抗干扰能力在很大成都上是取决于所用晶体滤波器的阻带衰减性能。在模拟通讯机中，滤波器的输入与输出端的信噪比，主要由滤波器的阻带特性所决定，为了提高信噪比，要求晶体滤波器的这种要求并不是越高越好，要求高了会导致插入损耗增加，体积和成本增加，也会影响可靠性，必须综合考虑。
D．阻抗匹配
使用晶体滤波器时，要求滤波器与外接电路有良好的阻抗匹配，因为失配会使滤波器的通带特性变坏，而通带波动增大又会使插入损耗增加，严重时使滤波器不能正常工作。对于高频晶体滤波器，引线或其它咋散的分布参数，也会影响晶体滤波器的匹配，使用应尽量减少这些影响。
e.激励电平
由于晶体滤波器器中的谐振子需要一定的激励电平才能进行正常的工作状态，所以在晶体滤波器工作时需要一个适当的输入电平，过低的激励不能使晶体正常工作，过高的激励也会破坏晶体滤波器的特性，严重的还会损坏晶体滤波器；对于单片晶体滤波器，其工作电平等于石英谐振器的电平；而对于桥型分立式晶体滤波器，其工作电平应为桥臂上各石英谐振器激励电平之和：一般说来，频率越高，对滤波器的激励电平可低一些，可在微伏量级上工作。
f.晶体滤波器的测量
晶体滤波器幅频特性的测量有很多方法，最早使用比较法。目前广泛使用直接测量法。近年来由于网络分析仪和频谱分析仪的迅速发展，能直观地显示处滤波器的全貌和定量地测出滤波器地各项技术指标。不仅方便、迅速，而且能清晰地反映晶体滤波器频率相应地图形。根据屏幕上地标尺就可以方便地读出各项参数。同时还可以方便地读出、打印出图形，分析幅频特性等。
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