A5SHB，A5SHB芯片三极管规格书

最新推荐文章于 2022-09-04 21:51:07 发布
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A5SHB采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A5SHB是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。

A5SHB具有比PW2302A更高的ID电流值，内阻比PW2302A偏低。

A5SHB基本参数：VDS = -20V， ID =-4.9A，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V

A5SHB采用SOT23-3L环保材质封装形式。
概述
PW2305的崩塌采用先进的崩塌技术，实现了顺向优良崩塌（ON）、低崩塌和带栅电压崩塌的崩塌&删除应用程序。
特征
VDS = -20V ID =-4.9A
RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V
提供3针BanSOT23-3封装

usb type
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