ASEMI肖特基二极管MBR10200FCT结构及主要参数

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与其他二极管相比，肖特基二极管MBR10200FCT有什么特别之处？

MBR10200FCT参数描述

型号：MBR10200FCT

封装：TO-220

特性：肖特基二极管

电性参数：10A，200V

正向电流(Io)：10A

正向电压(VF)：0.9V

芯片尺寸：86MIL

浪涌电流Ifsm：150A

漏电流(Ir)：10UA

工作温度：-65~+175℃

恢复时间(Trr)：<5nS

引线数量：3

 

肖特基二极管MBR10200FCT不是利用P型半导体和N型半导体之间形成PN结的原理制成的，而是利用金属和半导体接触形成金属-半导体结的原理制成的。因此，MBR10200FCT也被称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，是一种热载流子二极管。

典型的肖特基整流器MBR10200FCT的内部电路结构是基于N型半导体，在其上形成以砷为掺杂剂的N型外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻挡层。使用二氧化硅消除边缘区域的电场，提高管子的耐压。N型基片导通电阻小，掺杂浓度比H层高100%。在基板下方形成N+阴极层，其作用是降低阴极的接触电阻。

通过调整MBR10200FCT结构参数，在N型衬底与阳极金属之间形成肖特基势垒。当MBR10200FCT肖特基势垒两端（阳极金属接电源正极，N型衬底接电源负极）施加正向偏压时，肖特基势垒层变窄，内阻变小；相反，如果在MBR10200FCT肖特基势垒的两端施加反向偏压，则肖特基势垒层变宽，其内阻变大。

肖特基整流管MBR10200FCT仅使用一种载流子（电子）来传输电荷，在势垒外没有多余的少数载流子的积累。因此，不存在电荷存储问题（Qrr→0），开关特性明显提升。

MBR10200FCT反向恢复时间已缩短至10ns以下。因此，适合在低电压大电流条件下工作。利用其低压降特性，可以提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。