ASEMI肖特基二极管MBR10200CT参数，MBR10200CT封装

最新推荐文章于 2024-09-09 15:54:55 发布

qyx3868

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编辑-Z

ASEMI肖特基二极管MBR10200CT参数：

型号：MBR10200CT

最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V

最大平均正向整流输出电流（IF）：10A

峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A

每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W

工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃

最大瞬时正向压降（VF）：0.9V

最大直流反向电流（IR）：0.05mA

MBR10200CT封装规格：

封装：TO-220AB

总长度：28.57mm

本体长度：15.87mm

引脚长度：12.7mm

宽度：10.66mm

高度：5.0mm

脚间距：2.54mm

MBR10200CT特征：

塑料包装具有美国保险商实验室易燃性分类94V-O，阻燃环氧模塑化合物。

金属硅结，多数载流子导电

低功耗、高效率。

高电流能力

过电压保护护栏

用于低压、高频逆变器的续流和极性保护应用。

符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令

MBR10200CT机械数据：

外壳：TO-220AB模塑塑料

端子：根据MIL-STD-750，方法2026，可焊接的镀锡端子

极性：如标记。

安装位置：任何

重量：0.0655盎司，1.859克。

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产品型号:MBR20200CT反向重复峰值电压VRRM(max)(V):200平均整流器前向电流IO(max)(A):20瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0@20A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):50@125℃封装/温度(℃):4TO220AB/-价格/1片(套):￥7.90

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1N5822-ASEMI轴向低压降肖特基二极管1N5822

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1N5822在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是32MIL，是一款轴向低压降肖特基二极管。1N5822的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为2.0mA，其工作时耐温度范围为-65~125摄氏度。1N5822采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。1N5822的电性参数是：正向电流(Io)为3A，反向耐压为40V，正向电压(VF)为0.52V，其中有2条引线。它的本体长度为9.5mm，加引脚长度为60.3mm，宽度为5.6mm，高度为5.6mm，脚宽度为1.3mm。正向电流(Io)：3A。

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编辑-Z MBR10200FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10200FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10200FCT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.9V，其中有3条引线。 MBR10200FCT参数描述型号：MBR10200FCT 封装：TO-220 特性：肖特基二极管

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在代换时，应选择与其参数类似的其他肖特基二极管，并考虑供应商和品牌的信誉和价格等因素。需要注意的是，代换型号选择时，除了参数匹配外，还应考虑供应商和品牌的信誉以及价格等因素。最好选择有良好口碑和提供技术支持的供应商。另外，建议在代换前进行相关测试，以确保代换型号在实际应用中的性能和稳定性。2. 平均整流电流(IO)：MBR20200CT的IO为20A，表示在正向导通时，该二极管能够承受的最大平均电流。3. 最大正向压降(VF)：MF20200CT的VF为0.86V，表示在正向导通时，该二极管的电压降低。

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工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +150℃。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V。每个元件的典型热阻（ReJA）：40℃/W。最大直流阻断电压（VDC）：1000V。最大平均正向整流输出电流（IF）：2A。最大反向恢复时间（trr）：500NS。峰值正向浪涌电流（IFSM）：70A。最大瞬时正向压降（VF）：1.3V。最大直流反向电流（IR）：5uA。典型结电容（CJ）：25pF。引脚长度：25.4mm。快速切换以实现高效率。

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产品型号:MBR20200CTG反向重复峰值电压VRRM(max)(V):200平均整流器前向电流IO(max)(A):20瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0@20A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):1封装/温度(℃):TO-220/150（max）价格/1片(套):￥7.90

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产品型号:MBRB20200CTT4反向重复峰值电压VRRM(max)(V):200平均整流器前向电流IO(max)(A):20瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0@20A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):50@125℃封装/温度(℃):3D2PAK/-65~150价格/1片(套):￥13.00

MBRF20200CTG的技术参数

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产品型号:MBRF20200CTG反向重复峰值电压VRRM(max)(V):200平均整流器前向电流IO(max)(A):20瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0@20A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):1封装/温度(℃):PAK/150(MAX)价格/1片(套):￥18.00

ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT参数详解

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编辑-Z MBR20200FCT参数描述型号：MBR20200FCT 封装：ITO-220AB 特性：低功耗、大电流和超高速电性参数：20A 200V 芯片材质：si 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：102mil 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：20mA 工作温度：-65~+175℃ 恢复时间(Trr)：5ns 引线数量：3 MBR20200FCT的电性参数：正向平均电流20A；反向峰值电压200V MBR2

MBR20200CT-ASEMI肖特基二极管MBR20200CT

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编辑-Z MBR20200CT在TO-220封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款肖特基二极管。MBR20200CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR20200CT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20200CT的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.87V，恢复时间(Trr)达到5ns，其中有3条引线。型号：MBR20200CT 封装：TO-220 特性：肖

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工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃。端子：根据MIL-STD-750方法2026进行焊料电镀，可焊接。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V。每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W。最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V。最大平均正向整流输出电流（IF）：30A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A。最大直流反向电流（IR）：0.05mA。最大直流阻断电压（VDC）：200V。最大瞬时正向压降（VF）：0.9V。封装：ITO-220AB。

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其次，在应用开关电源时，必须掌握电路的基本原理和特点，保证正确选取工作点，以避免损失和危险情况。此外，该二极管的快速恢复时间非常短，仅为15纳秒，具有极佳的开关性能。首先介绍该二极管的基本结构和特性参数，然后重点讲解其应用场景和具体的电路设计方法。由于MURF20100CT二极管的快速恢复特性和大电流承受能力，它在开关电源的输出电路设计中得到了广泛应用。总之，MURF20100CT二极管是一种高性能、广泛应用的二极管，具有快速恢复时间、大电流承受能力和优异的热稳定性等优势。2.逆变电路设计中的应用。

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