ASEMI肖特基二极管MBR60100PT和普通二极管区别

肖特基二极管MBR60100PT与普通二极管主要区别在于其更低的导通压降(0.78V)、更快的恢复速度和更适用于高频环境。MBR60100PT适合于开关电源等高频整流应用,而普通二极管由于反向恢复时间长,易在高频时产生反向泄漏和发热。肖特基二极管在效率和高速切换方面优于普通二极管。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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肖特基二极管MBR60100PT和普通二极管都是单向导电的,可用于整流电路。肖特基二极管MBR60100PT与普通二极管的主要区别在于普通二极管的耐压可以做得更高,但其恢复速度低,只能用于低频整流。如果是高频,将无法快速恢复而发生反向泄漏,最终导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管MBR60100PT的耐压往往较低,但其恢复速度快,可用于高频应用。因此,开关电源使用这种类型的二极管作为整流输出,就算是这样开关电源上的整流管的温度还是很高的。

MBR60100PT参数描述

型号:MBR60100PT

封装:TO-247/3P

特性:肖特基二极管

电性参数:60A 100V

芯片材质:SI

正向电流(Io):60A

芯片个数:2

正向电压(VF):0.78V

芯片尺寸:150MIL

浪涌电流Ifsm:500A

漏电流(Ir):30uA

工作温度:-40~+175℃

恢复时间(Trr):<5nS

引线数量:3

 

ASEMI肖特基二极管MBR60100PT和普通二极管区别

1、普通二极管在有电流通过时会产生1.7伏左右的压降,而肖特基二极管MBR60100PT的压降只有0.78伏,因此可以提高系统的效率。

2、肖特基二极管MBR60100PT利用金属-半导体结作为肖特基势垒产生整流效应,不同于普通二极管中半导体-半导体接面产生的P-N结。

3、肖特基势垒的特性使肖特基二极管MBR60100PT的导通压降较低,可以提高切换速度。

4、普通二极管的反向恢复时间在几百nS左右,如果是高速二极管,会小于100nS。肖特基二极管MBR60100PT反向恢复时间极低,所以小信号肖特基二极管的开关时间在几十pS左右,特殊的大容量肖特基二极管的开关时间也只有几十pS。因为普通二极管在反向恢复时间内会因反向电流而产生EMI噪声。肖特基二极管MBR60100PT可以立即切换,没有反向恢复时间和反向电流的问题。

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