ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC的特点有哪些

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SBT30100VDC肖特基二极管：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。SBT30100VDC最显着的特点是反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向压降仅为0.4V左右。SBT30100VDC多见于通信电源、变频器等，因此是高频、快速开关的理想器件。

SBT30100VDC参数描述

型号：SBT30100VDC

封装：TO-263

特性：低压降肖特基二极管

电性参数：30A，100V

芯片材质：金属硅芯片

正向电流(Io)：30A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.52V

芯片尺寸：94MIL

浪涌电流Ifsm：250A

漏电流(Ir)：8uA

工作温度：-65~+150℃

恢复时间(Trr)：<5nS

引线数量：3

 

肖特基二极管SBT30100VDC的特点有哪些：

1、正向压降：肖特基二极管的正向压降远低于快恢复二极管，因此自身功耗小，效率高。

2、反向恢复时间短：其反向恢复时间极短（可小至几纳秒），适合工作在高频条件下。

3、抗大电流：能承受大浪涌电流。反向耐压低：一般肖特基管的反向耐压一般在200V以下，一般在100V左右。

4、耐高温：市面上常见的肖特基管的最高结温为100℃、125℃、150%、175℃（结温越高，产品的耐高温性越好）。

肖特基二极管SBT30100VDC在结构原理上与PN结二极管有很大不同，其内部由阳极金属（由钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料和N外延层（砷材料）、N型硅衬底、N阴极层和阴极金属等组成。

在N型衬底和阳极金属之间形成肖特基势垒。当肖特基势垒两端（阳极金属接电源正极，N型衬底接电源负极）施加正向偏压时，肖特基势垒层变窄，内阻变小；相反，如果在肖特基势垒的两端施加反向偏压，则肖特基势垒层变宽，其内阻变大。