ASEMI肖特基二极管MBR20100CT参数，MBR20100CT大小

最新推荐文章于 2024-06-12 15:53:00 发布
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编辑-Z

MBR20100CT参数描述：

型号：MBR20100CT

最大重复峰值反向电压VRRM：100V

最大RMS电压VRMS：70V

最大直流阻断电压VDC：100V

最大平均正向电流IF：20A

峰值正向浪涌电流IFSM：200A

最大正向电压VF：0.8V

最大直流反向电流IR：0.05mA

操作和储存接头温度范围TJ,TSTG：-65 to + 175℃

MBR20100CT封装大小：

封装：TO-220

总长度：28.57mm

本体长度：15.87mm

引脚长度：12.7mm

宽度：10.66mm

高度：5.0mm

脚间距：2.54mm

MBR20100CT机械数据：

外壳：TO-220AB模压塑料

端子：根据MIL-STD-750，方法2026，可焊接，镀焊料

极性：如标记所示。

安装位置：任意

重量：0.0655盎司，1.859克

qyx3868
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MBR30100CT-ASEMI肖特基二极管MBR30100CT
12-08 362
MBR30100CT-ASEMI肖特基二极管MBR30100CT
MBRB20100CTG的技术参数
12-11
产品型号:MBRB20100CTG反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20平均整流器前向电流IO(max)(A):100瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.95@20A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):0.100封装/温度(℃):D2PAK/150(MAX)价格/1片(套):￥9.60  
MBRF20100CTG的技术参数
12-11
产品型号:MBRF20100CTG反向重复峰值电压VRRM(max)(V):100平均整流器前向电流IO(max)(A):20瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.950@20A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):0.150封装/温度(℃):PAK/150(MAX)价格/1片(套):￥15.00  
ASEMI快恢复二极管MURF20100CT特性及应用解析
qyx3868的博客
07-20 460
其次，在应用开关电源时，必须掌握电路的基本原理和特点，保证正确选取工作点，以避免损失和危险情况。此外，该二极管的快速恢复时间非常短，仅为15纳秒，具有极佳的开关性能。首先介绍该二极管的基本结构和特性参数，然后重点讲解其应用场景和具体的电路设计方法。由于MURF20100CT二极管的快速恢复特性和大电流承受能力，它在开关电源的输出电路设计中得到了广泛应用。总之，MURF20100CT二极管是一种高性能、广泛应用的二极管，具有快速恢复时间、大电流承受能力和优异的热稳定性等优势。2.逆变电路设计中的应用。
ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT图片，MBR20100FCT大小
qyx3868的博客
12-13 1159
工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃。端子：根据MIL-STD-750方法2026进行焊料电镀，可焊接。最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：70V。最大平均正向整流输出电流（IF）：20A。每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W。峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A。最大直流反向电流（IR）：0.05mA。最大直流阻断电压（VDC）：100V。最大瞬时正向压降（VF）：0.8V。封装：ITO-220AB。本体长度：15.4mm。
MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT
qyx3868的博客
06-12 288
MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT
ASEMI肖特基二极管MBR20200CT参数及代换
qyx3868的博客
10-24 949
在代换时，应选择与其参数类似的其他肖特基二极管，并考虑供应商和品牌的信誉和价格等因素。需要注意的是，代换型号选择时，除了参数匹配外，还应考虑供应商和品牌的信誉以及价格等因素。最好选择有良好口碑和提供技术支持的供应商。另外，建议在代换前进行相关测试，以确保代换型号在实际应用中的性能和稳定性。2. 平均整流电流(IO)：MBR20200CT的IO为20A，表示在正向导通时，该二极管能够承受的最大平均电流。3. 最大正向压降(VF)：MF20200CT的VF为0.86V，表示在正向导通时，该二极管的电压降低。
MBR30300CT-ASEMI肖特基二极管MBR30300CT
qyx3868的博客
05-12 409
编辑-Z MBR30300CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款30A 300V肖特基二极管。MBR30300CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR30300CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR30300CT的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为300V，正向电压(VF)为0.95V，其中有3条引线。 MBR30300CT参数描述 型号：MBR30300CT 封装：TO-220A.
ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT的优势和应用
qyx3868的博客
10-08 576
编辑-Z 肖特基二极管MBR20100FCT的优势包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，MBR20100FCT正向导通和正向压降低于PN结二极管（低约0.2V）。 2) 由于MBR20100FCT是多数载流子导电器件，因此不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。MBR20100FCT的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充放电时间，与PN结二极管的反向恢复时间完全不同。由于MBR20100FCT的反向恢复电荷很小，开关速度很快，开关损耗也很小，特别适合高频应用。 MBR20100
三相单控整流电路的设计及MBR30200PT在整流电路中的应用
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下列为大家提供电路参数计算公式，桥式整流电路的优势，同样适用于ASEMI肖特基二极管MBR30200PT。　桥式整流电路参数极端公式　正极性桥式整流电路参数考虑因素有：负载电压的平均值UL、负载电流的平均值IL、二极管...
MBR20200CT-ASEMI肖特基二极管MBR20200CT
qyx3868的博客
06-29 4115
编辑-Z MBR20200CT在TO-220封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款肖特基二极管。MBR20200CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR20200CT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20200CT的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.87V，恢复时间(Trr)达到5ns，其中有3条引线。 型号：MBR20200CT 封装：TO-220 特性：肖
ASEMI肖特基二极管MBR30100CT特征，MBR30100CT应用
qyx3868的博客
11-25 663
工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃。端子：根据MIL-STD-750，方法2026，可焊接的镀锡端子。每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W。最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V。最大平均正向整流输出电流（IF）：30A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A。最大直流反向电流（IR）：0.05mA。最大瞬时正向压降（VF）：0.8V。外壳：TO-220AB模压塑料。本体长度：15.87mm。封装：TO-220AB。引脚长度：12.7mm。宽度：10.66mm。
ASEMI肖特基二极管PS2060L选型原则
qyx3868的博客
11-13 717
编辑-Z 在选用肖特基二极管PS2060L时，我们首先要考虑的就是PS2060L的正向电流和反向耐压（应大于应用值）。对于高频电流整流，一般负载选耐压比实际电压大2倍（例如：5V电压选10V肖特基）。感性负载可选3--5倍，最小电流余量要20%，（8A电流选用10A肖特基）一般余量为50%以上。大家可以根据PS2060L的参数按照上面的原则计算适合用在什么电路。除参数之外还有两个原则在选型时可以参考。 PS2060L参数描述 型号：PS2060L 封装：TO-277 特性：超低压降、低功耗
挖掘肖特基二极管正向压降大小与温度变化有什么关系？
weixin_43747182的博客
12-25 8088
  　　肖特基二极管正向压降与温度变化的关系？正向压降与温升变化是呈线性变化的关系，当肖特基二极管正向压降变小那么管子温度一定升高。          　　ASEMI肖特基二极管正向压降与温度的变化关系是怎样呢？我们知道对于肖特基二极管，很重要的一个性能指标是正向压降值大小（也就是VF值)。正是因为其拥有非常低的正向压降值，所以在输出功率一定的情况下,相比普通二极管于功率就体现更低的损耗。那...
ASEMI快恢复二极管FR207参数，FR207图片，FR207应用
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09-26 5391
工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +150℃。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V。每个元件的典型热阻（ReJA）：40℃/W。最大直流阻断电压（VDC）：1000V。最大平均正向整流输出电流（IF）：2A。最大反向恢复时间（trr）：500NS。峰值正向浪涌电流（IFSM）：70A。最大瞬时正向压降（VF）：1.3V。最大直流反向电流（IR）：5uA。典型结电容（CJ）：25pF。引脚长度：25.4mm。快速切换以实现高效率。
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那些年，与你同分同位次的同学都去了哪里？全国各大学在辽宁2020-2024年各专业最低录取分数及录取位次数据，高考志愿必备参考数据
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基于Java开发的智能文件管家设计源码
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该项目是一款基于Java的智能文件管家设计源码，涵盖102个文件，包括29个Java源文件、27个类文件、19个XML配置文件、10个YAML文件、8个列表文件、4个属性文件、4个JAR包文件以及1个Git忽略文件。该系统旨在提供高效便捷的文件管理解决方案。
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