SRAM、DRAM；SDRAM、DDRSDRAM(DDR)、RDRAM；SARAM、DARAM

一、SRAM(Static Random Access Memory)与DRAM(Dynamic Random Access Memory)
　　
　　这是根据内存的工作原理划分出的两种内存。
　　
　　DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。
　　
　　而SRAM是静态的，因此只要供电它就会保持一个值。 一 般而言，SRAM 比DRAM要快，这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而 言，DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理，可以断定在给定的固定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。
　　
　　SRAM常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；而DRAM常常用于PC中的主存储器，因为其拥有更高的密度。

二、SDRAM(Synchronous DRAM)、DDRSDRAM(Dual Data Rate SDRAM)和RDRAM(Rambus DRAM)
　　
　　这是计算机内存市场上对内存的分类方式， 这些内存 都属于上面提到的DRAM。
　　
　　SDRAM
　　
　　SDRAM中文名字是“同步动态随机存储器”，意思是指理论上其速度可达到与CPU同步。自从Pentium时代以来，SDRAM就开始了其不可动摇的霸主地位。这种主体结构一直延续至今。成为市场上无可争议的内存名称的代名词。
　　
　
　　DDR SDRAM
　　
　　从名称上可以看出，这种内存在技术上，与SDRAM有着密不可分的关系，事实上，DDR内存就是SDRAM内存的加强版。它主要是利用时钟脉冲的上升沿与下降沿传输数据，相当于原来两倍的频率的工作效率。
　　
　　RDRAM
　　
　 　RDRAM原本是Intel强力推广的未来内存发展方向，其技术引入了RISC（精简指令集），依靠高时钟频率（目前有300MHz、350MHz和 400MHz三种规格）来简化每个时钟周期的数据量。因此其数据通道接口只有16bit（由两条8bit的数据通道组成），远低于SDRAM的 64bit，由于RDRAM也是采用类似于DDR的双速率传输结构，同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输，因此在300MHz下的数据传输量可以 达到300×16bit/8×2=1.2GB/s，400MHz时可达到1.6GB/s，目前主流的双通道PC800MHz RDRAM的数据传输量更是达到了3.2GB/s。相对于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，确实很有吸引力。
　　
　　三、SARAM(Single-access RAM)与DARAM(Dual-access RAM)
　　
　　这是按CPU每个机器周期能对内存进行访问的次数来划分的两种内存。
　　
　　SARAM在一个机器周期内只能被访问一次，而DARAM则在一个机器周期内能被访问两次