学习笔记——SRAM、DRAM、SDRAM区别

SRAM、DRAM、SDRAM区别

RAM：即随机存储器或者易失性存储器，因为断电后就失去保存的数据。

RAM分为SRAM和DRAM：

  SRAM（Static Random-Access Memory），即静态随机存储器，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，SRAM的一种应用：高速缓冲存储器。

  DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存储器，每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，一般用于内存。

  SDRAM（synchronous dynamic random-access memory），同步动态随机存取内存，是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。

SRAM和DRAM二者区别

1. 存储结构不同

  SRAM依靠触发器存储数据，每个存储元（存储1bit数据）需要花费6个晶体管才能存储1 bit 。所以SRAM的集成度低、占用面积大。
  SRAM在读数据时，就是相当于“查看”寄存器的状态，写数据就是改变寄存器的状态。

  DRAM依靠电容存储，每个存储元只需要花1个电容和1个晶体管。DRAM的数据实际上是存在电容里。但是电容放久了，内部的电容就会越来越少，对外不能形成电位的变化。所以在读操作结束后需要刷新电路，重新将数据写回DRAM中。即便没有发生读写读写操作，也会对DRAM刷新。
   DRAM是通过检测是否有电流来确定存储的数据是1或0，有电流（有电荷存储）时为1，无电流为0。

DRAM自刷新操作
    所谓”自“刷新，即无需控制器发出刷新命令，DRAM 也会基于内部的定时器进行定时刷新。 
    一般每隔2ms也都会进行DRAM刷新。以行为单位，每次刷新一行存储单元；
    刷新不需要CPU控制，有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读/写周期。

【参考：DRAM的刷新方式】

2. 寻址方式不同

SRAM的存取速度很快，但是地址线需要更多，这是因为SRAM和DRAM的寻址方式不同：

  SRAM同时发送行地址和列地址，把行地址和列地址拼接起来作为一次读写访问的地址，然后放到地址线上，行地址线和列地址线都是单独存在；

  DRAM是把行地址和列地址分为长度相等的两段，然后分两次发送；DRAM可以地址线复用，也就使用同一跟地址线分别发送行地址和列地址，减少了地址线的使用。

使用对比

  SRAM 比 DRAM快，SRAM 的尺寸更小，但DRAM 的存储容量更大，且需要定时刷新。

【参考：https://blog.csdn.net/SummerXRT/article/details/119223261】