基于DS18B20的多点测温方案详解

1、DS18B20多点测温方案概述

DS18B20 单线数字温度传感器,多个 DS18B20 可以并联在惟一的单线上,实现多点测温。具体方案主要是以下步骤:

  1. 写一个获取DS18B20的64位序列号的keil工程,获取需要连接的DS18B20器件的序列号。
uint8_t rom[8];
void read_rom(void)
{
	uint8_t index;
	
	ds18b20_init();
	ds18b20_write_byte(0x33);
	
	for (index = 0;index < 8;index++)
	{
		rom[index] = ds18b20_read_byte();
	}
}
  1. 将获取到的DS18B20器件的序列号通过数组保存起来,再新建一个获取多点温度的keil工程,发送匹配64位序列号,获取温度即可。
uint8_t rom1[8]={0x28,0x0B,0xAC,0x79,0x97,0x16,0x03,0x39};
uint8_t rom2[8]={0x28,0xF2,0x80,0x79,0x97,0x15,0x03,0x51};
uint8_t rom3[8]={0x28,0xFF,0x64,0x79,0x97,0x16,0x03,0x8B};
uint8_t rom4[8]={0x28,0x6F,0x31,0x79,0x97,0x15,0x03,0x28};
uint8_t rom5[8]={0x28,0x1C,0x5C,0x79,0x97,0x15,0x03,0x14};
uint8_t rom6[8]={0x28,0xED,0xD8,0x79,0x97,0x16,0x03,0xD0};
uint8_t rom7[8]={0x28,0x94,0xB0,0x79,0x97,0x15,0x03,0xA4};
uint8_t rom8[8]={0x28,0xAE,0xD5,0x79,0x97,0x16,0x03,0x10};
uint8_t rom9[8]={0x28,0xC0,0xC2,0x79,0x97,0x16,0x03,0xED};

void DS18B20_Matrom(unsigned char a) 
{
	unsigned char j;  //用于循环
	ds18b20_init();
	ds18b20_write_byte(0x55);	 //发送匹配ROM命令
	if(a==1)
	{
		for(j=0;j<8;j++)
		{
			 ds18b20_write_byte(rom1[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
		}
	}

	if(a==2)
	{
		for(j=0;j<8;j++)
		{
			 ds18b20_write_byte(rom2[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
		}
	}

	if(a==3)
	{
		for(j=0;j<8;j++)
		{
			 ds18b20_write_byte(rom3[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
		}
	}

	if(a==4)
	{
		for(j=0;j<8;j++)
		{
			 ds18b20_write_byte(rom4[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
		}
	}

	if(a==5)
	{
		for(j=0;j<8;j++)
		{
			 ds18b20_write_byte(rom5[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
		}
	}

	if(a==6)
	{
		for(j=0;j<8;j++)
		{
			 ds18b20_write_byte(rom6[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
		}
	}

	if(a==7)
	{
		for(j=0;j<8;j++)
		{
			 ds18b20_write_byte(rom7[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
		}
	}

	if(a==8)
	{
		for(j=0;j<8;j++)
		{
			 ds18b20_write_byte(rom8[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
		}
	}
	if(a==9)
	{
		for(j=0;j<8;j++)
		{
			 ds18b20_write_byte(rom9[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
		}
	}
}

int16_t read_temp(uint8_t rom)  	//启动温度转换,读取温度
{
	u8 tl=0,th=0;
	if(ds18b20_init())
		return 0x7fff;
	ds18b20_write_byte(0xCC);
	ds18b20_write_byte(0x44);//启动DS18B20进行温度转换

	DS18B20_Matrom(rom);//匹配RAM,适用多个点的情况
	
	ds18b20_write_byte(0xBE);//读DS18B20内部RAM中9字节的温度数据
	tl=ds18b20_read_byte();//读低8位
	th=ds18b20_read_byte();//读高8位
	return (th<<8)+tl;
}

float get_ntemp(uint8_t rom)
{
	float 	temp=0;
	temp = read_temp(rom);
	temp = temp*0.0625;
	
	return temp;
}

2、DS18B20简介

2.1、DS18B20特点

DS18B20

  1. 采用单总线的接口方式
  2. 测量温度范围宽,测量精度高 DS18B20 的测量范围为 -55 ℃ ~+ 125 ℃ ; 在 -10~+85°C范围内,精度为 ± 0.5°C 。
  3. 供电方式灵活 DS18B20可以通过内部寄生电路从数据线上获取电源。因此,当数据线上的时序满足一定的要求时,可以不接外部电源,从而使系统结构更趋简单,可靠性更高。
  4. 测量参数可配置 DS18B20 的测量分辨率可通过程序设定 9~12 位。
  5. 负压特性电源极性接反时,温度计不会因发热而烧毁,但不能正常工作。
  6. 掉电保护功能 DS18B20 内部含有 EEPROM,在系统掉电以后,它仍可保存分辨率及报警温度的设定值。
  7. DS18B20具有体积更小、适用电压更宽、更经济、可选更小的封装方式,更宽的电压适用范围,适合于构建自己的经济的测温系统,因此也就被设计者们所青睐。

2.2、总线挂接多个DS18B20的具体原因

DS18B20主要由4部分组成:

  1. 64 位ROM
  2. 温度传感器
  3. 非挥发的温度报警触发器TH和TL
  4. 配置寄存器

ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码,每个DS18B20的64位序列号均不相同。64位ROM的排的循环冗余校验码(CRC=X8+X5+X^4+1)。
ROM

ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。

2.3、多个DS18B20的供电方式

在DS18B20温度转换期间通过寄生电源供电
寄生电源供电
用外部电源对DS18B20供电
外部电源供电

3、DS18B20工作时序详解

主要以下四个方面:

  1. 初始化时序
  2. 写时序
  3. 读时序
  4. 获取温度

详细解析如下。

3.1、初始化时序

初始化时序
主机首先发出一个480-960微秒的低电平脉冲,然后释放总线变为高电平,并在随后的480微秒时间内对总线进行检测,如果有低电平出现说明总线上有器件已做出应答。若无低电平出现一直都是高电平说明总线上无器件应答。

uint8_t ds18b20_init(void)
{
	uint8_t ack=1;
	DS18B20_DQ_OUT();
	DQ_L();
	delay_us(500);
	DQ_H();
	delay_us(60);
	DS18B20_DQ_IN();
	ack=DQ_Read();
	delay_us(180);
	DQ_H();
	return ack;
}

做为从器件的DS18B20在一上电后就一直在检测总线上是否有480-960微秒的低电平出现,如果有,在总线转为高电平后等待15-60微秒后将总线电平拉低60-240微秒做出响应存在脉冲,告诉主机本器件已做好准备。若没有检测到就一直在检测等待。

3.2、读/写时序

读写时序
写周期最少为60微秒,最长不超过120微秒。写周期一开始做为主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始。随后若主机想写0,则继续拉低电平最少60微秒直至写周期结束,然后释放总线为高电平。若主机想写1,在一开始拉低总线电平1微秒后就释放总线为高电平,一直到写周期结束。而做为从机的DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开始对总线采样,在采样期内总线为高电平则为1,若采样期内总线为低电平则为0。

static void ds18b20_write_byte(uint8_t byte)
{
	uint8_t i;
	DS18B20_DQ_OUT();
	for(i=0 ; i<8 ; i++)
	{
		if (byte&0x01) 
		{
				DQ_L();// Write 1
				delay_us(2);                            
				DQ_H();
				delay_us(60);             
		}
		else 
		{
				DQ_L();// Write 0
				delay_us(60);             
				DQ_H();
				delay_us(2);                          
		}
		byte=byte>>1;
	}
}

对于读数据操作时序也分为读0时序和读1时序两个过程。读时隙是从主机把单总线拉低之后,在1微秒之后就得释放单总线为高电平,以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后,便开始送出数据,若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线,然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完成对总线进行采样检测,采样期内总线为低电平则确认为0。采样期内总线为高电平则确认为1。完成一个读时序过程,至少需要60us才能完成

static uint8_t ds18b20_read_byte()
{
	uint8_t i;
	uint8_t byte;        		 //byte为要接收到的数据
	for(i=0 ; i<8 ; i++)
	{
		DS18B20_DQ_OUT();
		DQ_L(); 
		delay_us(2);
		DQ_H();
		DS18B20_DQ_IN();
		delay_us(12);
		byte >>= 1;    
		if(DQ_Read())
			byte |= 0x80;
		delay_us(50);           
					 
	}
	return byte;
}

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结束

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