2016年11月_Renice_SSD

转载瑞耐斯实测：MLC转成SLC模式没有想象的那么好

序言MLC可以通过set fetures命令将MLC或者TLC转换为SLC模式，不知道那位有才人起名曰：pSLC，应该是Pseudo SLC的缩写，浓浓的歧视味道扑面而来。尽管很多厂商已经开始使用此模式供货，但目前为止尚未见到任何关于MLC转为SLC之后的有详实测试数据的关于擦写次数以及可靠性评估文章。瑞耐斯希望用真正的测试数据来验证MLC转为SLC之后，是否与理论上推测的

2016-11-30 10:24:55 3081

瑞耐斯实测：MLC转成SLC模式没有想象的那么好

序言MLC可以通过set fetures命令将MLC或者TLC转换为SLC模式，不知道那位有才人起名曰：pSLC，应该是Pseudo SLC的缩写，浓浓的歧视味道扑面而来。尽管很多厂商已经开始使用此模式供货，但目前为止尚未见到任何关于MLC转为SLC之后的有详实测试数据的关于擦写次数以及可靠性评估文章。瑞耐斯希望用真正的测试数据来验证MLC转为SLC之后，是否与理论上推...

2016-11-30 10:24:00 619

转载 rBackup技术，彻底解决固态硬盘电容老化带来的安全隐患

rBackup（Rapid Backup)提供了一种将数据从DDR快速写入到Nand Flash的技术，此项技术的发明背景是瑞耐斯公司是为了应对SSD上钽电容或超级电容随时间推移而老化至无法达到初始设计电量从而无法真正起到断电保护作用而发明的一项技术。技术背景：为了提升SSD性能，目前市面主流的SSD都会采用SDRAM或者DDR做缓存，为了应对异常断电后DDR中数据丢失甚至是映

2016-11-29 09:38:38 2611

rBackup技术，彻底解决固态硬盘电容老化带来的安全隐患

rBackup（Rapid Backup)提供了一种将数据从DDR快速写入到Nand Flash的技术，此项技术的发明背景是瑞耐斯公司是为了应对SSD上钽电容或超级电容随时间推移而老化至无法达到初始设计电量从而无法真正起到断电保护作用而发明的一项技术。技术背景：为了提升SSD性能，目前市面主流的SSD都会采用SDRAM或者DDR做缓存，为了应对异常断电后DDR中数据丢失甚至是映...

2016-11-29 09:38:00 499

转载闪存误码根源分析及测试

Bit错误从Nand Flash物理机构上来说是不可避免的问题，Nand Flash受外界工作环境（如:温度、辐照等）和生产工艺、工作原理、存储材料本身的弊端等影响，总会在各种条件下产生错误。误码率是表明在一定条件下产生错误的比率，反映Nand Flash当前的可靠性状态。产生误码的物理根源Cell的本身是个浮栅（Floating Gate，以下缩写为FG）结构的MOS型晶体管

2016-11-28 09:52:57 2470

闪存误码根源分析及测试

Bit错误从Nand Flash物理机构上来说是不可避免的问题，Nand Flash受外界工作环境（如:温度、辐照等）和生产工艺、工作原理、存储材料本身的弊端等影响，总会在各种条件下产生错误。误码率是表明在一定条件下产生错误的比率，反映Nand Flash当前的可靠性状态。产生误码的物理根源Cell的本身是个浮栅（Floating Gate，以下缩写为FG）结构的MOS型晶体管，工...

2016-11-28 09:52:00 792

转载管中窥豹：从Page Performance看Nand Flash可靠性

如果所有的page performace在每次program时都是基本相同的，那么，这个Nand Flash颗粒应该是最稳定、最可靠的，因此，通过观察每个page performance的分布，可以大致看出Nand Flash的可靠程度。尽管每个Nand Flash的datasheet都会注明Erase、Program、Read Performance的详细时间，事实上，这些P

2016-11-25 11:42:20 1659

管中窥豹：从Page Performance看Nand Flash可靠性

如果所有的page performace在每次program时都是基本相同的，那么，这个Nand Flash颗粒应该是最稳定、最可靠的，因此，通过观察每个page performance的分布，可以大致看出Nand Flash的可靠程度。尽管每个Nand Flash的datasheet都会注明Erase、Program、Read Performance的详细时间，事实上，这些P...

2016-11-25 11:42:00 263

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