电源电路总结

1. PDN电源完整性设计

什么是PDN？

PDN全称为power delivery network，翻译为中文为电源分配网络。仅从字面意思上，似乎很难理解这个概念。我们换个角度来看。网络可以干什么呢？想必很多人都知道，网络可以传送信息。而电源分配网络能干什么呢？自然而然，电源分配网络就是为了传送电流，输送功率。所以，电源分配网络（PDN）就是将电源功率从电源输送给负载的实体路径。电流通过PDN从电源端流向负载端，再通过PDN，从负载端流回电源端。假如拿电池，接两根线点亮1个灯泡。那么正极和负极的两条线就叫PDN。

为什么要研究PDN?

通过以上的例子，似乎PDN瞬间变得简单了，但如果真的这么简单，我们又何必大动干戈地去研究PDN呢？这就要研究理想与现实的差异了（又一个活生生的例子）。在我们以前的学习过程中，都假设导线是理想模型，即：无阻抗，（R0=0Ω），无寄生电感（L0=0pH），无寄生电容（C0=0pF）。而实际生活中，任何金属都存在很低的阻抗和寄生电感，导线的实际模型如下：

所谓良好的导体实际是：

1.阻抗很低，（R0=8mΩ），
2.寄生电感很低（L0=8pH）
  C0和G0则依赖于正极导线和负极导线的距离。一般C0极小，G0极大。那么，原本简单的PDN，随着应用场景不同，也会出现相应的问题。以电池灯泡模型为例： 假如点亮灯泡需要至少5V的电压，1A的电流，在理想导线模型下，我们电池只需要输出5V即可。但实际情况下，由于正负极导线均存在8mΩ的阻抗，正负极导线会存在大约1Ax16mΩ=0.016V的压降，若想点亮灯泡，电池需要至少5.016V的电压。经过PDN的电流越大，压降越大，要求PDN的供电电压更高。 假如点亮灯泡需要的不是稳态电流，而是幅度1A，频率1GHz的交流电流，在理想导线模型下，无论频率怎么变化，电池都可以满足灯泡的需求。而实际情况下，由于正负极导线均存在8pH的寄生电感，导线上存在放入感抗X0=1GHz x 2π x 16pH=100mΩ。经过1A电流，压降为0.1V。所以需要电池供电电压至少为5.1V。频率越高，阻抗越大，压降也越大，要求的供电电压要更高。可以看出，负载大小和负载频率的变化，最终都会导致PDN传输的负载的电压不再与电源输出相等，一旦负载获得的电压低于负载的工作需求，就会导致负载发生不可预见性的故障。

所以研究PDN的物理意义如下：

1. 当负载稳态电流达到某个值时，PDN直流阻抗不得超过XXX(mΩ)，来保证最大电流场景下，电源的供电电压满足负载的工作电压范围，这是PDN的低频部分。（Eg：我们经常会根据这个特性来计算PDN的目标值。假如某电源稳态输出为1V，最大电流为3A，要求输入电压波动不得小于5%（50mV），则目标阻抗Z0=16.6mΩ。故PDN直流阻抗务必小于16.6mΩ。）

2. 当负载稳态电流达到某个值时，PDN直流阻抗不得超过XXX(mΩ)，来保证最大电流场景下，电源的供电电压满足负载的工作电压范围，这是PDN的低频部分。（Eg：我们经常会根据这个特性来计算PDN的目标值。假如某电源稳态输出为1V，最大电流为3A，要求输入电压波动不得小于5%（50mV），则目标阻抗Z0=16.6mΩ。故PDN直流阻抗务必小于16.6mΩ。）

如何读懂PDN曲线？

纵坐标为阻抗，横坐标为频率。

通过PDN的物理意义，我们可以轻松看出：

1. 该图要求频率从1KHz到1GHz之间，PDN阻抗要低于30mΩ以下。

2. 实际PDN曲线在100MHz附近，大约300MHz以上时，PDN阻抗超标。其他频率范围，PDN满足要求。

为什么高速PCB对PDN的要求很严格？

前用电池灯泡模型，为大家介绍了PDN的概念。电池灯泡模型是直流供电，负载很稳定（频率为0Hz），而且灯泡的负载特性几乎可以等效为电阻。所以电池灯泡模型，对PDN要求很低，拉两条线即可。

而如今随着集成电路工艺和PCB工艺的发展，硬件产品对PDN的要求也变得越来越高。究其原因，主要有如下3点：

处理器频率越来越高，对PDN的要求也越来越高。

随着现在处理器芯片的工作速度越来越高，内核电压也在逐渐降低。（数字逻辑1为高电平，同样的驱动能力，电压从0到1V需要的时间比电压从0到3V需要的时间短，需要的时间短，逻辑处理速度就高）。老处理器内核电压以3.3V为主，如今很多高端的处理器芯片内核电压为0.8V-1.3V之间，甚至更低。如果仍然按照0.8xVDD为逻辑1，0.2xVDD为逻辑0。老处理器逻辑1的电压范围为3.30.8=2.64V到3.31=3.3V，所以容许PDN上可以有660mV的压降。
新处理器逻辑1的电压范围为10.8=0.8V到11=1V，所以仅容许PDN上可以有200mV的压降。比老处理器的容限低了3倍。
根据欧姆定律，负载若消耗同样的电流，则新处理器的PDN阻抗就需要至少降低3倍。所以，处理器工作频率越高，对PDN要求更为严苛。

PDN对高速PCB的影响是什么?

把上面的问题反过来看，就能轻松总结出PDN对高速PCB电气性能影响是什么：

1.PDN上DCR过大，造成电压不足，从而造成处理器运行过程中出现死机、掉电、反复重启等问题。

2.PDN上ESL过大，造成电压有过冲和跌落，过冲甚至导致芯片过压击穿。

3.信号通常通过PDN来获取或者返回电流，多个信号共电源或者共地，造成信号之间的串扰耦合增强。

4.PDN上地端阻抗偏大，会导致信号的参考地被抬高。PDN上电源端阻抗偏大，会导致信号高电平副值偏低，严重者，导致数字信号逻辑错误。

5.PDN上DCR和ESL偏大，会造成电源震荡，产生EMI问题。

PDN的组成部分

让我们在原理图设计，布局，布线之前，就能在脑海中勾勒出PDN蓝图。胸有成竹地设计出优良性能的PDN。
高速PCB上PDN由哪几部分组成？
以电池灯泡模型为例，可以轻松看出，PDN主要由电源（电池），和传输路径（导线）组成。
在高速PCB上，PDN同样由电源和传输路径组成。但在高速PCB上，电源和传输路径的形式有很多。
电源的形式有开关电源，LDO，电池，电容，电源-地平面对等。
传输路径有PCB走线，PCB过孔，芯片封装等。将上述部分按照功能类型分类：开关电源、LDO、电池这些可以成为电压调节模组（VRM），也就是我们俗称的电源。电容按照此时的功能，称之为去耦电容。电源-地平面对的作用和去耦电容一样，但是由于其特殊性，将其单独列出。
PCB走线和PCB过孔，统一称为PCB。
芯片封装一般由器件厂家决定，我们改变不了它的特性，后续忽略不提。
所以，如果按照功能分类，高速PCB的PDN主要由如下几个模块组成：VRM、去耦电容、电源-地平面对、PCB组成。

但如果按照硬件设计流程的职能划分：

开关电源、LDO、电池、电容这些属于器件，在原理图设计阶段完成，我们称为原理图部分。
电源-地平面对、PCB走线，PCB过孔在布局布线阶段完成，我们称为EDA部分。
所以，如果按照硬件流程看，高速PCB的PDN从原理图设计到PCB设计的整个阶段都要考虑，二者缺一不可。

PDN成员的作用是什么？

基于我们的研究都是硬货，所以我们按照功能来讲解PDN的重要组成部分：VRM、去耦电容、电源-地平面对、PCB。

低频能量提供者—VRM

毋庸置疑，是PDN中的C位，它为负载提供稳定的电流，为负载提供主要能量。目前用的最多的VRM应该是开关电源和LDO。
开关电源的主流拓扑有Buck和Boost，熟悉电源的伙伴们都知道，二者的结构中，都有个重要的器件—串联的功率电感。功率电感的存在是一把双刃剑，首先，它成就了开关电源，让开关电源在重载情况下，有很高的能量传输效率。但是，功率电感的存在也让开关电源不能提供高频负载电流。因为功率电感的感值一般在uH以上，所以1MHz以上的负载电流会在功率电感上呈现出很大的阻抗，使得开关电源无法为负载提供高频负载电流。
LDO相比开关电源，其频率相对较高，但LDO在负载较大时，损耗太大，不适合为大负载供电。
电池能提供相对较高频率的大电流，但是电池的电压会随着电量的耗尽而下降，电压不稳。

高频能量补充者—去耦电容

正是由于VRM的缺陷，去耦电容当仁不让地稳坐二哥位置。
我们知道高频负载由于频率高，对能量的获取都是瞬时的，所以每个周期抽取的电量很少。正是由于这个特性，电容就彰显出了重要的作用。从电容的公式我们知道：

C=Q/U，Q=I*t。

所以1uF的电容在电压为1V时，可以提供大约1A持续1us的电流。22uF的电容在电压为1V时，可以提供大约22A持续1us的电流.
1MHz的负载，周期也就是1us左右。
所以，去耦电容虽然存储的能量较少，但是为高频负载补充能量却显得绰绰有余。而且负载频率越高，容值越小的电容即可担此大任。

能量传递者—PCB

即使大哥和二哥为负载补充了全频段的能量，但是能否将能量尽可能多地传递给负载，就要看节奏位—PCB布局和布线了。
作为传输路径，我们在电池灯泡模型中就提到了：DCR小，ESL低。
所以EDA布局布线的原则简单粗暴：粗，大，短，直。

辅助位—电源地平面对

电源-地平面对就像和七仙女谈恋爱，可遇而不可求。
成本的压缩和走线的复杂程度，导致很难保证电源-地平面对是完整的。而如果说到电源-地平面对的作用，实际和去耦电容一样。只不过电源-地平面对是PCB本体搭建的电容。P电容的结构是金属中间夹层介质。而电源-平面对刚好保证了金属平面中间有一层介质。

去耦电容的特性和去耦电容的设计

由于VRM在为负载提供高频电流时，显得萎靡不振。所以去耦电容在PDN的地位等同于VRM。去耦电容存储存储的电荷虽少，但摆放合适的情况下，可以为负载提供所需要的高频电流。

去耦电容和滤波电容的区别是什么？

去耦电容和滤波电容在本质上没有区别，它们都是电容，都是为了去除电源上的高频交流杂波。

滤波电容是滤除VRM自身产生的高频交流杂波（例如开关电源的纹波），常放置在电源的输出端，滤波电容将电源产生的交流杂波通过自身导入GND上，达到消除目的。

去耦电容是滤除负载自身产生的高频交流成分（例如开关噪声），常放置在负载的电源输入端。前面我们说过，负载突然抽取高频大电流，由于VRM萎靡，负载就只能靠PDN上的去耦电容来补充电流，一旦PDN不好，输入端的电源就会产生塌陷或者过冲，产生高频交流杂波。去耦电容是为负载补充高频的电流，来避免产生杂波。

正是因为此，工程测量噪声时，要求靠近输入电容测试，噪声是高频，示波器用全带宽。测量纹波时，要求靠近输出电容测试，纹波是低频。要求纹波用20M带宽。
所以，去耦电容为负载补充高频电流，防止负载产生杂波。滤波电容将电源产生的杂波短路到GND上，来消除杂波。这就是二者最大的差别。

PDN布局布线的原则

PCB的作用至关重要，就是将电源和去耦电容的电荷，尽可能无损耗的传输给负载，保证负载正常运行。PCB布局布线不合理会直接导致传输路径上ESR和ESL偏高，即使VRM性能优良，去耦电容性能强劲，PDN也会一塌糊涂。
所以我们在PCB布局布线时，需要：

尽可能地降低ESR，保证PDN在低频时满足阻抗要求。
尽可能地降低ESL，保证PDN在高频时满足阻抗要求。

布局布线对于ESR和ESL的影响基本是一致的：线越粗，越短，走的越直。ESR和ESL值越低。（传说中的粗短直理论）
如下图，以双面布局为例，IC在TOP面，去耦电容在Bottom面。（这幅图中，传输路径VCC端，布局布线很差，传输路径的GND端，布局布线很好，用于做对比）
在设计前，首先明确电流的流向，明确电流通路，电源完整性有两个重要定理：A.电流总是走最短路径；B. 电流必须有返回路径。
去耦电容相当于为负载提供高频电流的电源，所以电流总是从电容的正极出发，经过PCB，给到负载正极，再通过负载的GND管脚流出，通过PCB，流回电容负极。

明确电流流向后，我们开始布局布线。
1.布局时靠近供电区域放置。按照走线越短原则，双面布局，势必要求电容的布局在IC相应供电pin脚的正下方，原本没有方向的电容，好像变得有方向了。电容的VCC端最好在IC的VCC正下方，电容的GND端最好在IC的GND端的正下方。如果IC的GND端正下方是电容的VDD端，那么PDN将大打折扣，环形电流路径上ESL越大（相当于绕线电感）。
2.基于电流流向，走线粗短直。如图，VCC经过3个不同的位置过孔，从Bottom分别经过4-3孔，3-2孔，2-1孔，到Top面，3个过孔垂直方向不在一条线上，ESL大。而GND从Top经过3个1-4孔，直接到bottom层，ESL和ESR就小。不同层的过孔尽量垂直于一条线上，即使无法保证垂直于1条线，每层孔与孔的位置不要太远。
3.基于电流流向，增加并联支路。基于电流流向，如果有过孔，可以增加过孔的数量。如GND路径，从Top打1-4孔，到Bottom。原本1个1-4过孔的寄生参数为6pH，打3个过孔，ESL就变成了2pH，降低了3倍，优化明显。
4.保证局部电源平面和局部地平面的完整性。可以在垂直于IC供电引脚的下方，建立VCC平面区域，在垂直于IC GND引脚的下方，建立GND平面区域。保证电容的电荷，从电容出发，经过走线和过孔，流到电源平面，在经过走线和过孔，给到负载。电流通过负载的GND管脚，通过走线和过孔，流回GND平面，再通过走线和过孔，流回电容GND端。如果电源的供电管脚存在多个，建立平面后，可以实现1颗电容为所有管脚去耦。
5.平面尽量靠近负载侧。如4层板，负载在1层，那平面优先考虑1层和2层。若6层板，负载在1层，平面优先考虑2层，3层。
以上原则，对单面布局同样适用，单面布局的难点仍然是平面能否保持完整？在PCB分层时，一定要仔细推敲，避免平面被信号打散。

1. DCDC的工作模式：CCM,DCM,BCM;

非同步DCDC工作在哪种模式，取决于拓扑和输出功率，输入电压和输出电压的大小。

CCM，连续导通模式，一个开关周期内电感电流＞0。

DCM，断续导通模式，一个开关周期内电感电流 ≥ 0。

BCM，临界导通模式，CCM切换到DCM经历的模式。

可以看出，CCM的特点是负载电流一直大于0，BCM的特点是负载电流可等于0，DCM的特点是负载电流可等于0且保持为0，负载电流之所以不能小于0是因为有二极管存在。

非同步DCDC的一个特点是使用二极管实现续流，非同步DCDC相对于同步DCDC来说，前者是比较老的设计，并且因为使用了二极管，导致功耗较大，目前使用的大部分DCDC都是同步的，此文仅介绍非同步DCDC。

1. DCDC的调制模式：PWM,PFM,PSM;

1: PFM（脉冲频率调制方式）

开关脉冲宽度一定，通过改变脉冲输出的频率，使输出电压达到稳定。PFM控制型即使长时间使用，尤其小负载时具有耗电小的优点。

2: PWM（脉冲宽度调制方式）

开关脉冲的频率一定，通过改变脉冲输出宽度，使输出电压达到稳定。PWM控制型效率高并具有良好的输出电压纹波和噪声。

3: PFM和PWM不同点

通常情况下，采用PFM和PWM这两种不同调制方式的DC-DC转换器的性能不同点如下。

PWM的频率，PFM的占空比的选择方法。PWM/PFM转换型小负载时实行PFM控制，且在重负载时自动转换到PWM控制。

1. 电阻，电容选型的要点

1、输入电容

要满足耐压和输入纹波的要求。一般耐压要求1.5~2倍以上输 入电压。注意瓷片电容的实际容量会随直流电压的偏置影响而减少。

2、输出电容

要满足耐压和输出纹波的要求。一般耐压要求1.5~2倍

纹波和电容的关系：

3、BST电容

按照规格书推荐值。一般0.1uF-1uF。耐压一般要高于输入电压。

4、电感

不同输出电压的要求电感量不同；注意温升和饱和电流要满足余量要求，一般最大电流的1.2倍以上（或者电感的饱和电流必须大于最大输出电流＋0.5*电感纹波电流）。通常选择合适的电感值L，使ΔIL占输出电流的30% to 50%。计算公式：

5、VCC电容

按规格书 要求取值，不能减小，也不要太大，注意耐压。

6、反馈电容

按规格书 要求取值，不同厂家芯片取值不同，输出电压不同也会有不同的要求。

1. 反馈电阻和EN分压电阻

要求按规格书取值，精度1%。