norflash启动、nandflash启动以及硬件仿真的区别

   RQ : read only，指代码区
   RW : read/write, 指存放已初始化的“全局”变量的区域
   ZI : zero initialize, 指存放未初始化的“全局”变量的区域

   Norflash启动：不复制RO区，norflash 的RO区启动代码复制RW区到SDRAM内存指定空间中（MDK中一般为RAM1），并清零RW区存放空间后的部分空间以作为ZI区.

   Nandflash启动：steppingstone 中的4KB代码（RO区的前4KB代码，当然，RO区也可能没有4KB）将nandflash中的128KB内容（不一定非要这么多，但其中必须包含程序的RO区和RW区）复制到指定的RAM（MDK中一般为ROM1）内存中，然后跳到SDRAM内存中，执行RO区中的另一部分搬移代码，将SDRAM中RW区复制到SDRAM指定空间中（MDK中一般为RAM1），并清零RW区存放空间后的部分空间以作为ZI区. 搬移工作做完后，跳到main()中执行其他代码。

   硬件仿真：相当于Nandflash搬移工作做完后的状态。代码复制由MDK自动完成。

由于Norflash读写速度比SDRAM内存慢,故执行流水灯程序的时候，LED灯闪亮的速度比Nandflash启动和硬件仿真慢。