本文探讨了氮化铝陶瓷基板在IGBT模块中的重要性。氮化铝基板因其出色的绝缘、散热和机械性能，成为IGBT芯片的理想载体。基板设计直接影响模块电气特性，合理版图设计是关键。随着节能环保需求增加，IGBT模块应用广泛，优化基板设计有助于提升模块性能，打破发达国家的技术垄断。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
IGBT模块因其优异的电气性能，已经被广泛的应用于现代电力电子技术中，氮化铝陶瓷基板的设计是IGBT模块结构设计中最重要的一环，陶瓷基板设计的优劣将直接影响到模块的电气特性，所以想要很好的完成IGBT的设计，就得遵循氮化铝陶瓷基板的一些原则。
一、 氮化铝陶瓷基板特性。
氮化铝陶瓷基板在电力电子模块技术中，主要是作为各种芯片(IGBT芯片、Diode芯片、电阻、SiC芯片等
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