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我笑麦克斯韦无谋
电子科大-电子与通信工程
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浅谈GaN射频功率管(一)
本文谈一下GaN射频功率管的特性。对比Si管和GaAs功率管,为什么GaN射频功率管更适合宽带、高功率应用。List item氮化镓是一种宽带隙化合物半导体材料,近年来,其在射频功率放大器中的应用受到广泛的关注。复合半导体材料通常由两种或两种以上的元素组成,在元素周期表中,通常一种为三价元素,另一种为五价元素。氮化镓和砷化镓一样,都是III-V半导体,但是GaN的带隙更宽(3.4 eV,而1.43 eV)。这意味着GaN具有更高的击穿电压,因此可以在更高的漏极电压下工作,通常为28 V,而GaAs为原创 2021-02-24 08:53:36 · 2636 阅读 · 0 评论 -
2020-10-21
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