浅谈GaN射频功率管（一）

本文谈一下GaN射频功率管的特性。对比Si管和GaAs功率管，为什么GaN射频功率管更适合宽带、高功率应用。

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氮化镓是一种宽带隙化合物半导体材料，近年来，其在射频功率放大器中的应用受到广泛的关注。复合半导体材料通常由两种或两种以上的元素组成，在元素周期表中，通常一种为三价元素，另一种为五价元素。氮化镓和砷化镓一样，都是III-V半导体，但是GaN的带隙更宽（3.4 eV，而1.43 eV）。这意味着GaN具有更高的击穿电压，因此可以在更高的漏极电压下工作，通常为28 V，而GaAs为10 V 。对于相同的输出功率电平，较高的工作电压需要较低的电流，这会导致较高的输出阻抗，这对于将高功率器件匹配至50Ω而言是有利的。与具有相同功率水平的GaAs器件相比，输入和输出阻抗变换比都大大降低，这意味着该晶体管可以在更宽的频率范围内匹配。高击穿电压对于产生高峰值电压的PA工作模式（例如J类）特别有利。氮化镓晶体管还显示出比GaAs或LDMOS更高的功率密度。例如，Cree的0.4 µm 28 V工艺射频功率管，其功率密度为4.5 W / mm ，但是实验表明GaN的功率密度大于30 W / mm。相比之下，GaAs和LDMOS晶体管的功率密度通常约为1 W / mm 。高功率密度意味着相同的输出功率GaN功率器件的尺寸可以做的更小。此外，如下表所示，与GaAs和Si相比，GaN具有最低的介电常数。器件的电容与器件的面积和介电常数成正比，因此小的器件尺寸可以使得Cds更小，这对GaN功率管的输出阻抗是有利的。而且小的尺寸以为这GaN器件的capacitance-per-Watt也比GaAs或Si器件小，这中特性对宽带的应用也是十分重要的。