NAND FLASH一文详细介绍

芯片电源完整性与信号完整性设计

已于 2024-08-27 10:17:32 修改

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分类专栏：高速接口文章标签：硬件工程

于 2024-08-24 10:30:58 首次发布

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NAND Flash是一种非易失性存储设备，具有容量大、体积小、功耗低等优点，自 1989 年东芝公司首次提出以后，被广泛地应用于各种存储卡、电子设备、固态硬盘（SSD）之中。在便携式设备存储容量不断增加的推动下，NAND Flash 的市场需求也越来越强劲。

NAND Flash单元

NAND Flash单元采用浮栅晶体管，其基本示意图如图所示，与普通的CMOS晶体管不同，浮栅晶体管包含两个栅极，分别是控制栅和浮栅。控制栅与外部连接；浮栅作为电荷存储层由氧化层包围，相当于势阱，捕获的电子不会轻易逃出。初始状态下，浮栅中不存在电子，控制栅电压作用在衬底上，浮栅晶体管的阈值电压较低。当浮栅中捕获电子时，作用在衬底上的控制栅电压降低，阈值电压升高。浮栅中存储的电荷越多，阈值电压越高。目前，控制浮栅中电子数量的两种方式分别是：沟道热电子注入（Channel Hot Electron Injection，CHEI）机制和量子遂穿（Fowler-Nordheim Tunneling）。

沟道热电子注入机制：源漏之间存在的强电场使源端电子（多子）向漏极加速运动，并在靠近漏结的地方高速撞击耗尽区离子，产生热电子，高能量的热电子可越过与浮栅层之间的薄氧化层势垒。控制栅高压越高，向浮栅方向运动的热电子越多，浮栅捕获的电子越多。缺点是在某些位置产生过多的缺陷和退化，NOR Flash编程操作采用该机制。

量子遂穿（FN 遂穿）原理：控制栅接高电压，源漏端接地，强电场作用使耗尽区的电子（少子）以一定的几率穿过薄氧化层势垒，被浮栅层捕获。相反，也可通过将源端置为高电压，漏端开路，控制栅接地的方式，利用源端与浮栅之间强电场作用使电子遂穿到源端。NAND Flash 编程和擦除操作应用该机制。与沟道热电子注入机制相比，量子遂穿的效率相对较低，所需的时间较长，但电流较小，稳定性好。

Nor Flash和Nand Flash对比

根据存储单元的连接方式，Flash分为两种类型，一是美国的英特尔（Intel）公司提出NOR Flash，另一个是日本东芝（Toshiba）公司提出的NAND Flash。NOR Flash相同位线(Bit Line)上的所有存储单元并联在一起，每个存储单元具有独立的源端和漏端选择线，如图所示。其优势是存储单元的驱动电流比较大，因此读取数据的速度相当快（一般在一百纳秒以下），可靠性好，且能够随机读取存储单元。但是NOR Flash要求每个存储单元的漏端都要与位线相连，因此在相邻的存储单元之间需制作一个接触孔，接触孔自身以及其他工艺步骤将会占用很大的物理空间，使每个存储单元的面积较大，限制了其存储密度的增加。