嵌入式 Nand 中oob、bbt、ecc含义小结

最新推荐文章于 2023-02-01 17:26:02 发布
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分类专栏： 嵌入式
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本文链接：https://blog.csdn.net/skdkjzz/article/details/34446477
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本文介绍了NandFlash的基本存储布局和操作特性，包括每页中的OOB区域用于存储状态和硬件ECC码，以及NandFlash的擦除和写入规则。此外，解释了BBT（坏块表）的作用和不同实现方式，以及ECC（错误校验码）在纠正和检测单比特错误上的应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

由于在裸板或者在uboot存在的情况烧写kernel以及yaffs2 fs的时候 Nand 中oob、bbt、ecc很大程度上影响了烧写的成功率，所以我们下面进行没含义进行了解：

芯片内部存储布局及存储操作特点:

 

   一片Nandflash为一个设备(device), 其数据存储分层为:
    1 (Device) =4096 (Blocks)
   

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汽车IVI中控OS Linux driver开发实操（十九）：Nand Flash驱动的实现
码农17年的博客
04-22 336
nand flash从硬件连接上看，如下图，有专用接口，数据线有8或16根。Nand Flash按每个存储单元Cell内存储比特个数不同可分为 SLC（Single-Level Cell存储1个比特）、MLC（Multi-Level Cell存储2个比特） 、 TLC（Triple-Level Cell存储3个比特）、QLC（Quad-Level Cell存储4个比特）四大类，比特位越多，读写性能会越差，寿命也越短，但成本更低。
黑猫带你学NandFlash第2篇：NandFlash部分相关名词释义
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黑猫奥利奥的博客
02-18 268
本文为本人工作学习中常听到或常用到关乎于nandflash/fw的一些关键词合集，没有固定分类，不需要强行记忆，供查询使用。
nand flash坏块管理OOB,BBT,ECC
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09-28 1万+
0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式：以三星FLASH为例，一片Nand flash为一个设备(device)，1 (Device) = xxxx (Blocks)，1 (Block) = xxxx (Pages)，1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes，除OOB第六字节外，通常至少把OOB
nand flash 坏块
seasonyrq的专栏
05-26 1万+
本文针对nand flash坏块部分进行简单的记录
nandflash中oob、ecc分析
weixin_33896726的博客
08-09 426
1、为何需要分析？       最近一直接触这类驱动，如果对它的原理不懂的话，驱动调试会很麻烦！！！！！！   2、ecc？       nand的纠错能力，目前有1位、4位和8位，也就是说在512字节中如果是4位的ecc那就可以纠正最多4个bit的错误，一般就是翻转的错误！   3、oob？        冗余区域，一般存放的是ecc纠错码，一般4位的ecc的纠错后需要的字节数为：...
nandflash OOB/ECC
l00102795的博客
02-01 909
ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的错误不保证能检测。实现过程就是在存入数据时计算ECC校验，在读出数据时再次计算ECC校验，如果两次计算结果不同，则数据在存储过程中肯定发生了变化，通常是存储某个bit的电气元件电平发生了翻转。如果将它们烧入NAND Flash中，则NANDFlash的驱动程序首先根据OOB的标记略过坏块，然后将一页数据(2048字节)写入后，还会计算这2048字节的ECC较验码，最后将它写入OOB区，如此循环。
NAND_OOB_BBT
流水
03-19 1405
2012-03-15 22:34 在经过研读MTD中关于NANDflash的代码后，文件系统已经成功挂载，U-BOOT没有修改什么，只要保证nand_chip->ecc.mode = MTD_OOB_RAW;即以原始模式模式进行烧写。NAND驱动会调用相应的nand_write_page_raw()进行写NAND，至于TI提供的U-BOOT关于4bit 硬件ECC校验。没有修改，在使用U-
nandflash oob解析
canwang的博客
11-10 4629
一般NAND Flash每一页大小为(512+16)字节(还有其他格式的NANDFlash，比如每页大小为(256+8)、(512+16)、(2048+64)、(2048+128)等)，其中的512字节就是一般存储数据的区域，16字节称为OOB(Out OfBand)区。通常在OOB区存放坏块标记、前面512字节的ECC较验码等。 而cramfs、jffs2文件系统映像文件中并没有OOB区的内容，如果将它们烧入NORFlash中，则是简单的“平铺”关系；如果将它们烧入NAND Flash中，则NANDFl.
参考基于mtd的nand驱动开发.pdf
05-31
在基于 MTD 的 NAND 驱动开发中，需要关注的代码文件只有 6 个，包括：1、mtd.h：定义了 NAND 驱动中对 NAND 芯片最基本的操作函数和操作流程，如擦除、读写 page、读写 oob 等。2、mtdcore.c：定义了 NAND 驱动中与...
NAND Flash Spare 区域数据结构
03-09
Samsung关于NAND Flash中Spare区域的推荐数据结构。
linux驱动之nand flash
carlos博客
06-29 2687
linux驱动之nand flash 1、 Nand Flash一些名词的解释 1.1 （Bad） Block Management（坏）块管理 Nand Flash由于其物理特性，只有有限的擦写次数，超过那个次数，基本上就是坏了。在使用过程中，有些Nand Flash的block会出现被用坏了，当发现了，要及时将此block标注为坏块，不再使用。 于此相关的管理工作，属于Nand Flash的坏块管理的一部分工作。 1.2 Wear-Leveling负载平衡 Nand Flash的block的管理，还包括
Nand Flash块，坏块，页，oob等解释
qq_41882586的博客
03-02 7832
http://blog.csdn.net/seasonyrq/article/details/51510965 本文针对nand flash坏块部分进行简单的记录 什么是坏块 我们先来看一下nand flash的存储结构  nand flash的存储结构为：一个flash由许多个block组成，一个block又是有许多个page组成，一个page又是由有效的数据...
Linux BBT 结构
robert19840729的专栏
03-18 1016
NewSTO NAND Flash BBT Specification 1.    Location Then whole NAND is partitioned as below table.         Block Offset Description Size Dec Hex 0
linux NAND驱动之二：NAND存储原理
流年偷换的专栏
04-16 1773
在我们开始NAND 驱动编写之前，至少应该知道：数据在NAND 中是怎样存储的，以及以怎样的方式从NAND 中读写数据的。                               1，NAND 的存储结构和操作方式        这方面的资料可以从任意一种NAND 的datasheet 中得到，而且事实上，大多数的NAND datasheet 都大同小异，所不同的大概只是该NAND 芯片
linux nandflash oob
chenliang0224的专栏
01-14 1183
对于Nand Flash，每一个页，对应一个空闲区域(OOB)，这个区域是基于Nand Flash的硬件特性，数据在读写的时候容易出错，为了保证数据的正确性，就产生了这样一个检测和纠错的区域，用来放置数据的校验值。OOB的读写操作，一般都是随着页的操作一起完成，也就是在读写页的时候，对应的OOB就产生了，那么OOB有什么用途呢？ 1). 标记是否存在坏块 2). 存储ECC校验 3). 存储
擦除失败之后就能确认nandflash 的这个块是坏的吗？
lqxandroid2012的专栏
09-13 5958
ECC很重要，SPARE区域在NAND FLASH架构定义之初就是主要用来存放ECC编码的，因为NAND FLASH数据出错概率高需要加ECC进行校验 1.一个页读/写失败了，那么是否要将其所在块标识成坏块? 一般应用NAND FLASH时都会同时使用ECC纠错，无论是硬件纠错还是软件实现。在有ECC的情况下如果写入一个Page失败是可以将其读出以判断出现的错误是否可以
SEP4020微处理器在Linux嵌入式系统中NandFlash驱动设计
"嵌入式系统/ARM技术中的SEP4020在Linux NandFlash驱动中的应用" 嵌入式系统在当今的科技领域中扮演着至关重要的角色，特别是在嵌入式设备和移动设备中。ARM技术作为主流的嵌入式处理器架构，因其低功耗、高性能的...
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