nandflash OOB/ECC

OOB

目前比较常见NAND Flash每一页大小为(2048+64)字节(还有其他格式的NANDFlash，比如每页大小为(256+8)、(512+16)、(2048+128)等)，其中的2048字节就是一般存储数据的区域，64字节称为OOB(Out OfBand)区。通常在OOB区存放坏块标记、ECC较验码、文件系统信息(yaffs)等。

而cramfs、jffs2文件系统映像文件中并没有OOB区的内容，如果将它们烧入NORFlash中，则是简单的“平铺”关系；如果将它们烧入NAND Flash中，则NANDFlash的驱动程序首先根据OOB的标记略过坏块，然后将一页数据(2048字节)写入后，还会计算这2048字节的ECC较验码，最后将它写入OOB区，如此循环。

ECC

ECC的全称是Error Checking and Correction，是一种用于Nand的差错检测和修正算法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出错。ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的错误不保证能检测。

校验码生成算法：ECC校验每次对256字节的数据进行操作，包含列校验和行校验。对每个待校验的Bit位求异或，若结果为0，则表明含有偶数个1；若结果为1，则表明含有奇数个1。列校验规则如表1所示。256字节数据形成256行、8列的矩阵，矩阵每个元素表示一个Bit位。

NandFlash的ECC校验算法，只能纠正一个bit的错误。实现过程就是在存入数据时计算ECC校验，在读出数据时再次计算ECC校验，如果两次计算结果不同，则数据在存储过程中肯定发生了变化，通常是存储某个bit的电气元件电平发生了翻转。在实际过程中，我们会通过两次计算结果对比来找到是哪一个bit发生了变化，然后更正它即可。所以重点在于怎么找到这个发生了变化的bit。

其实ECC校验我觉得主要用了两个点：异或和二分法。

异或的结果就是相同为0，不同为1，理解这个概念很重要。

然后就是二分法，逐步缩小范围。

牢记以上两点即可完全理解ECC校验方式。

我们先举一个简单的例子：现在我向NandFlash里存了8个字节的数据，它们全部为0。如下图：

后我把数据读出来，发现其中一个bit发生了翻转。如下图：

我们读出来的时候并不知道存入的数据到底是多少，那ECC又是如何通过两次计算来确定是哪个bit发生了变化？

实际操作如下：

在存入数据时，计算8个字节bit0-bit3所有位的异或结果得到一个位(32个位异或的结果)，再计算bit4-bit7所有位的异或结果又得到一个位(同样32个位)

在读取的时候我再次计算这个两个位：

这样，通过两次计算结果中两个位比较，可以确定是bit0-bit3中出现了错误，还是bit4-bit7中出现了错误。这是第一次二分，用两个位筛选掉了一半的位。同理，我们可以在bit0-bit3中再次二分，可以确定是bit0-bit1中出现了错误还是bit2-bit3中出现了错误。也就是我在写入和读出时再加4个bit。如下图：

写入：

读出：

此时，我们把错误位定位到了bit2-bit3中间。再继续，我们可以再加8个位去再次二分，最后得到错误的位就在bit2这个位。这么乍一听好像没有问题，其实不然。我们在实际写入和读取时，并不知道到底是哪一位是错误的，所以我们每一列bit都要计算，而并不是先计算bit0-bit3和bit4-bit7，在判断是bit0-bit3存在错误后再计算bit0-bit1和bit2-bit3，而是我们要计算出2+4+8 = 14个部分bit的异或结果:

从上面的检测原理来看，ECC只能检测每个块中的1个bit，多于一个bit会出现负负得正的情况，也没办法修正。