黑猫带你学NandFlash第2篇:NandFlash部分相关名词释义

本文基于ONFI5.1规范,结合作者的工作经验,整理了NandFlash相关的重要名词释义,涵盖存储芯片领域的常用术语。文章强调这并非ONFI5.1协议的详细定义,而是作者在工作中遇到的关键词集合,方便查询和理解。
摘要由CSDN通过智能技术生成

1 前言

1.1 声明

本文依据ONFI5.1、网络资料及个人工作经验整理而成,如有错误请留言。
文章为付费内容,已加入原创侵权保护,禁止私自转载及抄袭。
文章所在专栏:《黑猫带你学:NandFlash详解

1.2 本文背景

本文关键词不包括ONFI5.1协议第1.3章节:《1.3. Definitions, abbreviations, and conventions》内容。直接查阅ONFI5.1 spec相关章节即可,清晰明了,此处没必要再列出。

本文为本人工作学习中常听到或常用到关乎于nandflash/fw的一些关键词合集,没有固定分类,不需要强行记忆,供查询使用。

2 名词释义

UBER Uncorrectable Bit Error Rate, or ratio
ILI input leakage current,输入漏电流
LUN 逻辑单元,就是所谓的 die(DIE),是闪存内可执行命令并回报自身状态的最小独立单元。 CE 是由多个 LUN 组成,目的是为了提高容量。
一个闪存 Die 可以拥有 1 到多个 Plane 面。如东芝 BiCS3 闪存的一个512Gb Die,包含了两个 2
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