存储器

最新推荐文章于 2024-11-11 17:38:48 发布

平凡之路_嵌入式

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分类专栏： arm9（S3C2440）文章标签：存储嵌入式电子

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一　　通用存储设备：

在介绍内存工作原理之前有必要了解下存储设备的存储方式：ROM，RAM

l ROM(Read-Only Memory)：只读存储器，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。如：PC里面的BIOS。ROM还可以细分为不可编程ROM,可编程ROM(PROM),可擦除(PROM)和电可擦除(EEPROM)。

目前ROM有被flash替代的趋势，NOR和NAND是目前市场上两种主流的flash技术。

l RAM(Random Access Memory) ：随机访问存储器，存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。可以理解为，当你给定一个随机有效的访问地址，RAM会返回其存储内容(随机寻址)，它访问速度与地址的无关。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间内随机访问使用的程序。计算机系统里内存地址是一个四字节对齐的地址（32位机），CPU的取指，执行，存储都是通过地址进行的，因此它可以用来做内存。

RAM按照硬件设计的不同，随机存储器又分为DRAM（Dynamic RAM)动态随机存储器和SRAM（Static RAM) 静态随机存储器。

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片，工作电压3.3V电压，存取速度高达7.5ns，而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间,所以其传输速率比EDO DRAM更快。

SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.
第一代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则表明时钟信号为100或133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。
之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作频率是333/2=166MHz，2700表示带宽为2.7G。
DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1666。
很多人将SDRAM错误的理解为第一代也就是 SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导,SDR不等于SDRAM。

Pin:模组或芯片与外部电路电路连接用的金属引脚，而模组的pin就是常说的“金手指”。
SIMM：Sigle In-line Memory Module,单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条，所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚（虽然两侧都有金手指）。
DIMM：Double In-line Memory Module，双列内存模组。是我们常见的模组类型，所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚，模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。
RDIMM：registered DIMM，带寄存器的双线内存模块
SO-DIMM:笔记本常用的内存模组。
工作电压：
SDR：3.3V
DDR：2.5V
DDR2：1.8V
DDR3：1.5V

SRAM

SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？

一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；二是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。

还有一种是为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。
SRAM显然速度快，不需要刷新的动作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下：

◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统：
○CPU与主存之间的高速缓存
○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存
○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）

SRAM与SDRAM的比较：

SRAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；SDRAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用SDRAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用SRAM，在存取速度上，SRAM>SDRAM。另外，内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。

为了满足开发的需要MINI2440在出厂时搭载了三种存储介质：

（1）NOR FLASH（2M）：ROM存储器，通常用来保存BootLoader，引导系统启动

（2）NAND FLASH（256M，型号不一样，Nandflash大小不一样）：保存操作系统映像文件和文件系统

（3）SDRAM（64M）：内存，执行程序

l NOR FLASH：它的特点是支持XIP芯片内执行（eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，也就是说可以随机寻址。NOR FLASH的成本较高。

l NAND FLASH：它能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其成本较低，不支持XIP。可做嵌入式里的数据存储介质。如：手机存储卡，SD卡等。

Nand Flash：适合大容量数据存储，类似硬盘；

Nor Flash：适合小容量的程序或数据存储，类似小硬盘；

SDRAM：主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算，类似内存。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM。

Nor Flash有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在Nor Flash上可以直接运行程序，所以Nor Flash可以直接用来做boot，采用Nor Flash启动的时候会把地址映射到0x00上。

Nand Flash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像Nor Flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。

简单点说：

norflash 读取快，写入慢，总线结构，能运行代码，价格贵。
nandflash 读取慢，写入快，非总线结构，不能运行代码，价格便宜。
sdram 读取和写入都很快，掉电不能保存数据，价格贵。
1,SDRAM+nand flash 
是因为SDRAM快，nand flash 便宜，现在最好的搭配。
2,nor flash + nand flash 
nor fash慢，nand flash便宜，估计没哪个公司会用。
3,SDRAM + nor flash
SDRAM快，norflash使用比nand flash简单。

二　Ｓ３Ｃ２４４０的启动

Nand Flash启动：Nand Flash控制器自动把Nand Flash存储器的前4K复制到Stepping Stone（内部SRAM缓冲器），并把0x0000_0000设置为内部SRAM的起始地址，CPU从内部SRAM的0x0000_0000开始启动，这个过程不需要程序干涉。（CPU会自动从Nand Flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x0000_0000）。CPU是从0x0000_0000开始执行，也就是Nand Flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有，不能直接把NAND映射到0x0000_0000，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把Nand Flash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行）。

程序员要完成的工作是把最核心的代码放在Nand Flash的前4K中。4K代码要完成S3C2440的核心配置以及启动代码（U-boot）的剩余部分拷贝到SDRAM中。这4K的启动代码需要将Nand Flash中的内容复制到SDRAM中执行。Nand Flash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。

Nor Flash启动：支持XIP即代码直接在Nor Flash上执行，无需复制到内存中。这是由于Nor Flash的接口与RAM完全相同，可随机访问任意地址数据。Nor Flash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，Nor Flash可像内存一样读操作，但擦除和写操作效率很低，远不及内存，一般先在代码的开始部分使用汇编指令初始化外接的的内存部件（外存SDRAM），最后跳到外存中继续执行。对于小程序一般把它烧到Nand Flash中，借助CPU内部RAM（SRAM）直接运行。

Nor Flash被映射到0x0000_0000地址（就是nGCS0，这里就不需要片内SRAM来辅助了，所以片内SRAM的起始地址还是0x4000_0000）。然后CPU从0x0000_0000开始执行（也就是在Nor Flash中执行）。

Nor Flash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，Nor Flash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，价格很昂贵。SDRAM和Nand Flash的价格比较适中。根据这些特点，一些人产生了这样一种想法：外部Nand Flash中执行启动代码，SDRAM中执行主程序。Nand Flash控制器自动把Nand Flash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x0000_0000设置为内部SRAM的起始地址，CPU从内部SRAM的0x0000_0000开始启动，这个过程不需要程序干涉。这4K的启动代码需要将Nand Flash中的内容复制到SDRAM中执行。Nand Flash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。

总结：ARM的启动都是从0地址开始，所不同的是地址的映射不一样。在ARM开电的时候，要想让ARM知道以某种方式（地址映射方式）运行，不可能通过你写的某段程序控制，因为这时候你的程序还没启动，这时候ARM会通过引脚的电平来判断。

1．当引脚OM0跟OM1有一个是高电平时，这时地址0会映射到外部nGCS0片选的空间，也就是Nor Flash，程序就会从Nor Flash中启动，ARM直接取Nor Flash中的指令运行。

2．当OM0跟OM1都为低电平，则0地址内部bootbuf（一段4k的SRAM）开始。系统上电，ARM会自动把Nand Flash中的前4K内容考到bootbuf（也就是0地址），然后从0地址运行。这时Nand Flash中的前4K就是启动代码（他的功能就是初始化硬件然后在把Nand Flash中的代码复制到RAM中，再把相应的指针指向该运行的地方）

为什么会有这两种启动方式，关键还是两种Flash的不同特点造成，NOR FLASH容量小，速度快，稳定性好，输入地址，然后给出读写信号即可从数据口得到数据，适合做程序存储器。Nand Flash总容量大，但是读写都需要复杂的时序，更适合做数据存储器。这种不同就造成了Nor Flash可以直接连接到ARM的总线并且可以运行程序，而Nand Flash必须搬移到内存（SDRAM）中运行。

在实际的开发中，一般可以把bootloader烧入到Nor Flash，程序运行可以通过串口交互，进行一定的操作，比如下载，调试。这样就很可以很方便的调试你的一些代码。Nor Flash中的Bootloader还可以烧录内核到Nor Flash等等功能。

S3C2440的启动时读取的第一条指令是在0x00上，分为成nand flash和nor flash上启动。

norflash有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在nor flash上可以直接运行程序，所以nor flash可以直接用来做boot，采用nor flash启动的时候会把地址映射到0x00上。mini2440就是直接把vivi直接烧录在norflash上。

nandflash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。

S3C2440把boot loader烧到nandflash上启动，因为在S3C2440里有一个内置的SRAM，叫做stepping stone(垫脚石，很形象…)，系统启动加电后，会把nand flash上的起始4KB的内容拷贝到SRAM里执行，这样就实现了从nand flash启动。如果bootloader小于4KB的话（像vboot），在SRAM里就能boot，大于4KB的话(u-boot，vivi)，在SRAM里做一些基本初始化后，再把bootloader的剩余部分拷贝到SDRAM里（>0x30000000）。

//==========================================================================//注：bootloader是在操作系统内核运行之前运行的一段小程序。通过这段小程序，我们可以初始化硬件设备、建立内存空间的映射图，从而将系统的软硬件环境带到一个合适的状态，以便为最终调用操作系统内核准备好正确的环境。通常，bootloader是严重地依赖于硬件而实现的，特别是在嵌入式世界。因此，在嵌入式世界里建立一个通用的bootloader几乎是不可能的。尽管如此，我们仍然可以对 BootLoader 归纳出一些通用的概念来，以指导用户特定的 bootloader设计与实现。

//==========================================================================//

我们使用S3C2440的时候，经常通过nor flash启动，进入vivi的菜单(S3C2440的norflash已经烧录好了vivi），之后通过vivi的USB下载功能，把其他的bootloader下载到nand flash里，下载完成后，再通过nand flash启动，测试我们的boot loader。

nor flash适合做代码存储并EIP的，nand flash适合用来作大量数据存储的。

Nand flash启动： nand flash存储器的前4K将被自动加载到Stepping stone（内部SRAM缓冲器），然后系统自动执行这些载入的启动代码，这4K的启动代码需要将nand flash中的内容复制到SDRAM中执行。nand flash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。

//==========================================================================//注：SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory)，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。