51单片机I/O口使用经验 转载

本文介绍了51单片机I/O口作为输入时的特性,特别是内部上拉电阻的工作原理。在连接低电平输出设备时,由于上拉电阻的存在可能导致信号状态异常。在不改变硬件的情况下,通过先写0再写1的软件方法,配合适当延时,可以解决这个问题,确保低电平信号的正确采样。
摘要由CSDN通过智能技术生成

按常规,在51端口(P1、P2、P3)某位用作输入时,必须先向对应的锁存器写入1,使FET截止。一般情况是这样,也有例外。所谓IO口内部与电源相连的上拉电阻而非一常规线性电阻,实质上,该电阻是由两个场效应管并联在一起:一个FET为负载管,其阻值固定;另一个FET可工作在导通或截止两种状态(姑且叫可变FET)。使其总电阻值变化近似为0或阻值较大(20千欧--40千欧)两种情况。当和端口锁存器相连的FET由导通至截止时,该阻值近似为0,可将引脚快速上拉至高电平;当和锁存器相连的FET由截止至导通时,该电阻呈现较大阻值,限制了和端口锁存器相连的FET的导通电流。

        51I/O口作为输入端和外部信号相连有时必须考虑上述特性,本人在设计LTP1245热敏打印头驱动板时,资料上推介热敏头“抬头”和“纸尽”信号由头中内嵌检测电路提供,MCU IO口采集该信号时需加缓冲(如74HC04)。当时本人认为51IO口上拉电阻为一较大阻值的固定电阻,对 输入信号无影响,故未加缓冲电路(为降低成本能省则省)。可到调试PCBA时发现,“抬头”、“纸尽”状态变化时,采集信号只在3.90V--5.10V之间变化,应为低电平时无低电平输出。究其原因,打印头的“抬头”、“缺纸”信号输出为一光敏三极管的集电极输出,集电极和电源间原有一个负载电阻,饱和导通设计工作电流仅为450--1100微安,当该集电极直接和MCU IO口某位相连时,IO口上拉电阻和光敏三极管负载电阻并联,当IO口上拉时,上拉电阻极小致使光敏三极管直流负载线斜率陡然增大,工作状态进入放大区而非希望的饱和区。当时在不改硬件的条件下,我几乎无计可施&#x

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