松木ME6980ED（替代）AOS万代AO8814 共漏双N沟道增强模场效应晶体管方案

　　ME6980ED一般描述

　　ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。

　　ME6980ED特征

　　RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V

　　RDS(ON)≤15 mΩ@VGS=4.0V

　　RDS(ON)≤17 MΩ@VGS=3.1V

　　RDS(ON)≤20 mΩ@VGS=2.5V

　　极低RDS的超高密度电池设计，出色的导通电阻和最大直流电流能力

　　

AO8814 共漏双N沟道增强模场效应晶体管

　　AO8814一般描述

　　AO8814采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON) 、低栅极电荷和操作，栅极电压低至1.8V，同时保持 12V VGS（最大）额定值。它是ESD保护的。该器件适合 用作单向或双向负载开关，其共漏配置更方便。

　　AO8814特征

　　VDS(V)=20V

　　ID=7.5 A（VGS=10V)

　　RDS(ON)<16 M（VGS=10V)

　　RDS(ON)<18 M（VGS=4.5V)

　　RDS(ON)<20 M（VGS=3.6V)

　　RDS(ON)<24 M（VGS=2.5V)

　　RDS(ON)<34 M（VGS=1.8V)

　　ESD额定值： 2500V

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