MRAM--用于存内运算的磁阻交叉阵列内存(MRAM)设备

如下图所示：这是samsung公司和哈佛大学在nature杂志上最新的研究成果：内存内部的结构性创新，主要是创新性的用阵列逻辑电路实现内存内部的AI运算。内存运算把结果传送给CPU，这点像具有边缘计算能力的终端结点(例如GPU、ASIC等)，将终端处理结果传送给中央处理器。

a图内存芯片在b图基础上的放大，核心创新结构MRAM array夹在W/R功能模块和TDC(time-digital-converter)readout的中间。c图是64*64的逻辑电路结构。d图是单个cell。每个cell有4种组合方式，如下图的e所示，每种会对应一个输出结果。