模电知识整理(一)

动态电路

知识点

  1. 零输入相应: 电容自然放电,电容器两端电压按照指数规律下降。
  2. 零状态相应: 初始状态为0,开启开关,进行充电;电容器两端电压指数规律上升。
  3. 零状态+零输入=全相应
  4. 用方波作为输入波形(激励信号): 上升沿作为0状态响应,下降沿作为0输入响应。相当于开关断和闭合状态。 条件:波形周期/2需要远远大于时间常数。
  5. 微分电路: 输出信号是输入信号的微分。时间常数远小于T/2。输入从电容经电阻,输出从电阻两端电压。
  6. 积分电路: 输出信号是输入信号的积分。输入从电阻输入,输出为电容器两端电压。时间常数远远大于T/2;

测量要求

  1. 时间常数测量: 测量周期、电压峰峰值、测量时间常数,并画出波形

注意事项

信号源、示波器、电路之间工共地。
积分电路
图片

微分电路
在这里插入图片描述

三个实验

1.测量时间常数

信号发生器提供方波,示波器来测量。
方波周期远远大于时间常数。
测量峰峰值(Vpp),乘以0.632。最后,测量最低点到峰峰值的0.632,所经过的时间,就是时间常数。

2.积分电路

周期和峰峰值(并未充完电,无法测量时间常数)。

3.微分电路

同上

思考题

  1. 分析误差,讨论误差可能的来源。
  2. 对微分电路的幅度进行分析计算。
  3. 误差大小和相关数据,给出实验结果。
学习的两个重点 凡是学的,总是避不开。 上学时老师教的知识,毕业时统统还给老师。毕业后又要从事产品设计,《》拿起又放下了 n 次,躲不开啊。毕业多年后,回头望,聊聊的学习,但愿对学弟学妹有点帮助。 通观整本书,不外是,晶体管放大路、场管放大路、负反馈放大路、集成运算放大器、波形及变换、功放路、直流源等。然而其中的重点,应该是场管和运放。何也? 按理说,场管不是教材的重点,但目前实际中应用最广,远远超过双极型晶体管(BJT)。场效应管,包括最常见的MOSFET,在源、照明、开关、充等等领域随处可见。 运放在今天的应用,也是如火如荼。比较器、ADC、DAC、源、仪表、等等离不开运放。 1、场效应管是只有种载流子参与导的半导体器件,是种用输入压控制输出流的半导体器件。有 N 沟道和 P 沟道两种器件。有结型场管和绝缘栅型场管 IGFET 之分。IGFET 又称金属-氧化物-半导体管 MOSFET。MOS 场效应管有增强型 EMOS 和耗尽型 DMOS 两大类,每类有 N 沟道和 P 沟道两种导类型。 学习时,可将 MOSFET 和 BJT 比较,就很容易掌握,功率 MOSFET 是种高输入阻抗、压控制型器件,BJT 则是种低阻抗、流控制型器件。再比较二者的驱动路,功率 MOSFET 的驱动路相对简单。BJT 可能需要多达 20% 的额定集流以保证饱和度,而 MOSFET 需要的驱动流则小得多,而且通常可以直接由 CMOS 或者集极开路 TTL 驱动路驱动。其次,MOSFET 的开关速度比较迅速,MOSFET 是种多数载流子器件,能够以较高的速度工作,因为没有荷存储效应。其三,MOSFET 没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外,MOSFET 具有并行工作能力,具有正的阻温度系数。温度较高的器件往往把流导向其它MOSFET,允许并行路配置。而且,MOSFET 的漏极和源极之间形成的寄生二极管可以充当箝位二极管,在感性负载开关中特别有用。 场管有两种工作式,即开关式或线性式。所谓开关式,就是器件充当个简单的开关,在开与关两个状态之间切换。线性工作式是指器件工作在某个特性曲线中的线性部分,但也未必如此。此处的“线性”是指 MOSFET 保持连续性的工作状态,此时漏流是所施加在栅极和源极之间压的函数。它的线性工作式与开关工作式之间的区别是,在开关路中,MOSFET 的漏流是由外部元件确定的,而在线性路设计中却并非如此。 2、运放所传递和处理的信号,包括直流信号、交流信号,以及交、直流叠加在起的合成信号。而且该信号是按“比例(有符号+或-,如:同相比例或反相比例)”进行的。不定全是“放大”,某些场合也可能是衰减(如:比例系数或传递函数 K=Vo/Vi=-1/10)。 运放直流指标有输入失调压、输入失调压的温度漂移(简称输入失调压温漂)、输入偏置流、输入失调流、输入失调流温漂、差开环直流压增益、共抑制比、压抑制比、输出峰-峰值压、最大共输入压、最大差输入压。 交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声压、差输入阻抗、共输入阻抗、输出阻抗。 个人认为,选择运放,可以只侧重考虑三个参数:输入偏置流、供源和单位增益带宽。
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