HC32F460 进入掉电模式 需到的坑!!

事情是这样的,先是自已按资料(不是例程)手写的掉电程序,功耗一直降不到数据手册给出的6uA水平,一直在550uA附近,尝试过很多方法均不行!

于是直接改写例程在自已板上去行,掉电模式3, 能够正常进至2uA水平!

将此程序做为函数, 无任何修改, 完程的放在自已程序的main文件“第一行” ,运行无效果,还是550uA附近

百度,CSDN,官网,都查过了,没有找到类似案例!

官网找到一个最相近的,HC32F460系列的停止模式注意事项Rev1.1.pdf 无帮助!

最后没办法,找两个项目不同点和运行步骤,一直折腾到晚上十点:

因在main第一行, 运行步骤完全相同,先是怀疑进入main之前的 RAM常量初始化的影响,注解掉部分程序,人工增加RAM常量,无效果!

再更多的注解掉部分程序,有效果了,降至2uA了!!!!

人工增加一个FALSH常量,尝试很多次,找到一个临界点:

  此常量为856时, ,有效果降至2uA!

大于856时,无论怎么做,同样的代码,还是550uA附近!

怀疑FLASH编译跨区了,但这个编译结果没跨区呀!

关键是编译结果还是一样一样的:

 最后一步一步分析汇编代码

这是能够降至2uA的汇编:

下图是550uA的汇编:

发现编译结果存放位置有不同,根据芯片资料:

也就是说,0x2000前的第1个扇区,是一个特殊区域,会不会相关代码在这个区域,或使用了这个区域,就不能进入掉电模式了呢?

于是果断frok  .icf文件并修改: 将下述:

改为下述,以使第1扇区预留:

掉电模式成功到2uA了,把所有程序全部恢复,也能够成功到2uA!!

结论:若要使用HC32F460的掉电模式,请注意第1扇区的影响!!!!

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HC32F460是华大基础公司推出的一款32位ARM Cortex-M4内核的微控制器,它具有丰富的外设资源,包括存储器、通信接口、定时器、模拟电路和数字信号处理等。在HC32F460中,可以通过软件实现对铁电存储器的驱动。 铁电存储器是一种非易失性存储器,它具有高速度、高可靠性、低功耗和高抗干扰能力等优点。在HC32F460中,可以通过软件实现对铁电存储器的读写操作,下面是基本的驱动流程: 1. 定义铁电存储器的地址范围和数据结构。 ```c #define EEPROM_START_ADDRESS 0x08000000 #define EEPROM_SIZE 0x8000 // 32KB typedef struct { uint32_t address; uint8_t data; } eeprom_t; ``` 2. 初始化铁电存储器。 ```c void eeprom_init(void) { /* Unlock EEPROM */ M4_EEPROM->PWPR = 0x5A5A0000UL; M4_EEPROM->PWPR = 0xA5A50000UL; /* Set HCLK divider */ M4_EEPROM->CMD = 0x00000008UL; /* Enable EEPROM */ M4_EEPROM->CMD = 0x00000001UL; } ``` 3. 读取铁电存储器中的数据。 ```c uint8_t eeprom_read(uint32_t address) { eeprom_t *eeprom = (eeprom_t *)EEPROM_START_ADDRESS; uint32_t offset = (address - EEPROM_START_ADDRESS) / sizeof(eeprom_t); return eeprom[offset].data; } ``` 4. 写入数据到铁电存储器中。 ```c void eeprom_write(uint32_t address, uint8_t data) { eeprom_t *eeprom = (eeprom_t *)EEPROM_START_ADDRESS; uint32_t offset = (address - EEPROM_START_ADDRESS) / sizeof(eeprom_t); /* Erase the EEPROM page */ M4_EEPROM->CMD = 0x00000002UL; while (M4_EEPROM->STAT_f.BUSY); /* Write data to EEPROM */ eeprom[offset].address = address; eeprom[offset].data = data; M4_EEPROM->CMD = 0x00000003UL; while (M4_EEPROM->STAT_f.BUSY); } ``` 以上是简单的铁电存储器驱动程序,可以根据实际需求进行修改和优化。需要注意的是,在实际使用中,应该避免频繁地读写铁电存储器,以延长其使用寿命。
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