Jimbo的博客

如果在画原理图过程中，修改了库元件，放置修改后的元件时会出现如下警告：Part xxx is out of date with respect to the design cache.Use Update Cache to synchronize the part in the cache with the library.如何找到这个Updata Cache。->

我在使用orcad的CIS时遇到意外退出的情况，网上搜了下解决方法如下：在 Capture CIS中原理图状态下 右键 Place Database Part  后跳出 CIS Explorer，但随后马上又蹦出一个对话框：. |( I0 `  E, E; U$ d; A' r& E7 X* x- e% }" Y" ]5 eTish application has quit une

所谓EMI就是电磁干扰（electro-magnetic interface），电磁干扰是以磁场的形式影响其他电路的。磁场则是由电流产生的，归根结底还是电流的错。我们看到的信号的高低是以电压为标准衡量的，其实信号是以电流的形式传播的。有电流存在就会有电磁场的产生。对于低频信号，电流变化不频繁，可以不考虑电磁干扰问题。但对于高频信号，电流变化则非常剧烈。交变的电流在周围产生交变的磁场，而交变

LVDS开发指南该指南是我从各个文档中提取出来的关键点，为以后开发节省查阅资料的时间。LVDS特点Low-voltage power supply compatibilityLow noise generationHigh noise rejectionRobust transmission signalsAbility to be integrated into system level

现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH

以下内容摘自“AN97055”2.3 Devices with different logic levels connected via the bi-directional level shifter.The bi-directional level shifter is used to interconnect two sections of an I2C-bus system, each se

MOS管学习 在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接