对于给定的能带结构和 E F E_{\rm F} EF,求出载流子浓度峰值位置
载流子浓度随能量的分布(以电子为例):
n ( E ) = g ( E ) f F e r m i ( E ) = ( 2 m e ) 3 / 2 2 π 2 ℏ 3 E − E C ⋅ 1 1 + e E − E F k T n(E)=g(E)f_{\rm Fermi}(E)=\frac{(2m_{\rm e})^{3/2}}{2\pi^2\hbar^3}\sqrt{E-E_{\rm C}}\cdot\frac{1}{1+e^{\frac{E-E_{\rm F}}{kT}}} n(E)=g(E)fFermi(E)=2π2ℏ3(2me)3/2E−EC⋅1+ekTE−EF1
仅需求出极值点 E ∗ s . t . d n d E ∣ E ∗ = 0 E^*\ s.t.\ \cfrac{{\rm d}n}{{\rm d}E}\bigg|_{E^*}=0 E∗ s.t. dEdn E∗=0和对应的极值 n m a x = n ( E ∗ ) n_{\rm max}=n(E^*) nmax=n(E∗)。
方便起见考虑函数 f ( x ) = x 1 + e x − a f(x)=\cfrac{\sqrt{x}}{1+e^{x-a}} f(x)=1+ex−ax,其中 a = E F − E C k T a=\cfrac{E_{\rm F}-E_{\rm C}}{kT} a=kTEF−EC为参数,归一化的能量 x = E − E C k T x=\cfrac{E-E_{\rm C}}{kT} x=kTE−EC:
f ′ ( x ) = e x − a ( 1 − 2 x ) + 1 2 x ( 1 + e x − a ) 2 f'(x)=\frac{e^{x-a}(1-2x)+1}{2\sqrt{x}(1+e^{x-a})^2} f′(x)=2x(1+ex−a)2ex−a(1−2x)+1
使用 k T = 26 m e V kT=26\ {\rm meV} kT=26 meV,对于Si的能带结构,可算出
E C − E F ( e V ) E_{\rm C}-E_{\rm F}\ {\rm(eV)} EC−EF (eV) | a a a | x ∗ x^* x∗ |
---|---|---|
0.5 | -19.2 | 0.500 |
0.4 | -15.4 | 0.500 |
0.3 | -11.5 | 0.500 |
0.2 | -7.69 | 0.500 |
0.1 | -3.85 | 0.506 |
0.78 ≈ 3 k T \ \approx3kT ≈3kT | -3.00 | 0.515 |
0.52 ≈ 2 k T \ \approx2kT ≈2kT | -2.00 | 0.540 |
0.26 ≈ k T \ \approx kT ≈kT | -1.00 | 0.601 |
0 | 0 | 0.739 |
所以,在 E C − E F ≫ 3 k T E_{\rm C}-E_{\rm F}\gg3kT EC−EF≫3kT的非简并的掺杂范围内,Si的电子浓度峰值位于导带以上约 k T / 2 = 13 m e V kT/2=13\ {\rm meV} kT/2=13 meV处。 E C E_{\rm C} EC接近 E F E_{\rm F} EF时已经是简并掺杂,载流子的统计不再符合费米-狄拉克分布 f F e r m i f_{\rm Fermi} fFermi。
对于空穴的结论可以类比得出,即空穴浓度峰值位于价带以下约 k T / 2 = 13 m e V kT/2=13\ {\rm meV} kT/2=13 meV处(非简并掺杂)。
上面的计算没有用到 E g E_{\rm g} Eg和 N C ( N V ) N_{\rm C}(N_{\rm V}) NC(NV),从而应该对一般半导体都成立。
事实上 f ′ ( x ) f'(x) f′(x)的实根可以显式地写出:
x
∗
=
W
(
1
2
e
a
−
1
/
2
)
+
1
2
x^*=W\left(\frac12e^{a-1/2}\right)+\frac12
x∗=W(21ea−1/2)+21
其中
W
(
z
)
W(z)
W(z)是Lambert W-Function,它是
f
(
W
)
=
W
e
W
f(W)=We^W
f(W)=WeW的反函数。它可以展成级数
W ( z ) = ∑ n = 1 ∞ ( − n ) n − 1 n ! z n W(z)=\sum_{n=1}^\infty\frac{(-n)^{n-1}}{n!}z^n W(z)=n=1∑∞n!(−n)n−1zn
从而可以对 E ∗ E^* E∗进行更高精度的估计。